二氧化鈦奈米管陣列的合成及其和聚噻吩複合材料性質的研究

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翁瑞宏(Ruei-Hong Wong) 查詢紙本館藏

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化學工程與材料工程學系

論文名稱

二氧化鈦奈米管陣列的合成及其和聚噻吩複合材料性質的研究

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摘要(中)

本研究的第一部分為二氧化鈦奈米管陣列之合成及分析；採用簡單的二極式電化學陽極氧化法，以定電壓、固定溫度在含氟的有機甘油及乙二醇兩種電解液中陽極氧化高純度的金屬鈦片，製備出規則排列的二氧化鈦奈米管陣列，且在較低電壓的環境下，成功製備出內管徑約20~30 nm的二氧化鈦奈米管陣列，以利之後填入P3HT形成複合材料應用在有機太陽能電池材料上。當升高陽極氧化時的反應溫度，也增長了二氧化鈦奈米管陣列的長度，之後藉由SEM、TEM影像分析二氧化鈦奈米管陣列表面及內部形態，由EDX分析進行二氧化鈦的成分鑑定，再由選區電子繞射（SAED）來判別二氧化鈦奈米管煅燒後的晶型結構；最後透過UV光譜及XRD鑑定所形成的產物為二氧化鈦anatase相的晶型結構。
第二部份我們將合成好且煅燒產生anatase晶相的二氧化鈦奈米管陣列填入P3HT形成複合材料，利用P3HT吸收430nm波長的可見光後產生的電子，快速的藉由電子接受者（二氧化鈦）導走，而進行P3HT/TiO2的螢光消光測試，比較二氧化鈦奈米顆粒以及二氧化鈦奈米管管徑的大小對於P3HT的螢光消光效率的影響，所測得的螢光消光效率大小為：管徑為30 nm的二氧化鈦奈米管陣列＞管徑為100 nm的二氧化鈦奈米管陣列＞P3HT/TiO2奈米顆粒膜。

摘要(英)

There are two parts in this thesis. Firstly, we report the preparation of TiO2 nanotube array by potentiostactic anodizing process. Titanium foil was anodizing in a glycerol and ethylene glycol solution containing NH4F at different voltages and temperatures to fabricate highly ordered TiO2 nanotube array. SEM and TEM photographs, show the morphology and hollow tubular structure of TiO2 nanotube arrays. The pore diameter drops from 100 nm to 30 nm along with the operating voltage reduces from 50 V to 20 V in ethylene glycol solution at room temperature. While keeping the same pore diameter, the length of nanotubes grow from 40 μm to 126 μm along with the temperature increases from 20 ℃ to 40 ℃under the operating voltage of 50 V in ethylene glycol solution. Additionally, the products was characterized by EDX, SAED, UV and XRD to demonstrate that TiO2-anatase structure is formed upon thermal annealing after anodization.
Secondly, the regioregular poly(3-hexylthiophene) (P3HT) is infiltrated into the nanotubes to form the composite materials. The charge transfer properties of the P3HT/TiO2 composite materials can be monitored by photoluminescence quenching. After excitation at 430 nm, the PL quenching efficiencies follow the order: P3HT/TiO2 nanotube array consist of 30 nm pore ＞ P3HT/TiO2 nanotube array consist of 100 nm pore diameter＞P3HT/TiO2 nanoparticles. The result indicates an effective charge transfer from P3HT to TiO2 nanotube array of smaller pore diameter.

關鍵字(中)

★ 二氧化鈦奈米管陣列聚噻吩

關鍵字(英)

★ nanotube array
★ titanium
★ p3ht

論文目次

摘要..........................................................................................................Ⅰ
目錄..........................................................................................................Ⅱ
表目錄......................................................................................................Ⅴ
圖目錄......................................................................................................Ⅵ
第一章緒論..............................................................................................1
第二章文獻回顧......................................................................................3
2.1二氧化鈦奈米管..........................................................................3
2.1.1 簡介......................................................................................3
2.1.2 二氧化鈦奈米管的製備方式..............................................6
2.1.3 鈦的陽極處理與膜面顯色機制........................................12
2.1.4 二氧化鈦奈米管的形成機制............................................13
2.1.5 二氧化鈦奈米管的應用....................................................18
2.2 聚噻吩.......................................................................................20
2.2.1 簡介....................................................................................20
2.2.2 聚(3-烷基噻吩)的結構......................................................20
2.2.3 聚(3-烷基噻吩)的導電機制..............................................23
第三章實驗方法....................................................................................24
3.1 實驗藥品...................................................................................24
3.2 實驗及分析儀器.......................................................................25
3.3 實驗方法...................................................................................27
3.3.1 二氧化鈦奈米管陣列的製備............................................27
3.3.2 二氧化鈦粒子凝膠製備....................................................30
3.4 實驗分析儀器...........................................................................32
3.4.1 場發射掃瞄式電子顯微鏡（Field-Emission Scanning Electron Microscope，FE-SEM）....................................32
3.4.2 穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscope
，TEM）..............................................................................32
3.4.3 .X光繞射儀（X-Rays Diffractometer，XRD）................33
3.4.4紫外可見光光譜儀（UV-Visible Spectrophotometer，UV-VIS）...........................................................................35
3.4.5螢光光譜儀（Photoluminenscence Spectrophotometer，PL）
............................................................................................36
第四章結果與討論................................................................................40
4.1 前言...........................................................................................40
4.2 以含有NH4F的甘油電解液製備二氧化鈦奈米管陣列........40
4.2.1 二氧化鈦奈米管陣列SEM影像分析..............................41
4.2.2 二氧化鈦奈米管陣列TEM影像分析................................42
4.2.3 二氧化鈦奈米管陣列之XRD分析..................................46
4.3 以含有NH4F的乙二醇電解液製備二氧化鈦奈米管陣列....49
4.3.1 二氧化鈦奈米管陣列.SEM.影像分析(.室溫/ 50 V ).......50
4.3.2 二氧化鈦奈米管陣列.SEM.影像分析(.室溫/ 45 V ).......54
4.3.3 二氧化鈦奈米管陣列.SEM.影像分析(. 20 ℃/ 20 V ).....55
4.3.4 二氧化鈦奈米管陣列SEM影像分析( .20 ℃/ 50 V ).....57
4.3.5 二氧化鈦奈米管陣列SEM影像分析( .25 ℃/ 50 V ).....59
4.3.6 二氧化鈦奈米管陣列SEM影像分析( .30 ℃/ 50 V ).....62
4.3.7 二氧化鈦奈米管陣列SEM影像分析( .35 ℃/ 50 V ).....64
4.3.8 二氧化鈦奈米管陣列SEM影像分析( 40 ℃/ 50 V )........66
4.3.9 二氧化鈦奈米管陣列TEM影像分析................................69
4.3.10二氧化鈦奈米管陣列之紫外-可見光分析......................72
4.3.11 二氧化鈦奈米管陣列之XRD分析..................................73
4.4 聚(3-己烷基噻吩)在二氧化鈦奈米管陣列孔洞中之螢光消光
...現象...........................................................................................76
第五章結論............................................................................................79
參考文獻..................................................................................................80

參考文獻

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指導教授

楊思明(Sze-Ming Yang)

審核日期

2008-7-11

推文