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姓名	曾國偉(Kuo-Uei Tseng)  查詢紙本館藏	畢業系所	物理學系
論文名稱	氮化銦鎵卅氮化鎵多層量子井發光二極體之電性研究 (The electrical properties of InGaN/GaN MQWs LED)
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摘要(中)	本篇論文主要是針對氮化銦鎵卅氮化鎵多層量子井發光二極體（In0.23Ga0.77N/GaN MQWs LED）的結構以電容電壓量測與導納量測探討其電性。 在本研究中，主要是利用電容電壓量測檢測多層量子井中的載子分佈情形。並分析在不同溫度與量測頻率的條件下，載子凍結與樣品所含的缺陷對於電容電壓量測之影響。另外，利用空乏近似法的計算來模擬電容電壓譜線，並探討在氮化銦鎵卅氮化鎵異質結構中所產生的壓電場效應，對於多層量子井的能帶結構與載子分佈所帶來的影響。 而由導納量測的結果發現，樣品中含有來自於n型摻雜的矽（Si）、p型摻雜的鎂（Mg）和一個可能與氮空缺（N-vacancy）有關的缺陷。
摘要(英)	We use capacitance-voltage measurement and admittance spectroscopy to study the electrical properties of InGaN/GaN MQWs LED. We use C-V measurement to study the carrier distribution of MQWs. And we analyze the influence of the carrier freeze-out and defect on the different temperature and frequency C-V measurement. Besides, we study the influence of piezoelectric field on the band profile and carrier distribution of MQWs by depletion approximation. Then we found the n type dopant (Si), the p type dopant (Mg), and the defect N-vacancy related with admittance measurement.
關鍵字(中)	★ 氮化銦鎵卅氮化鎵 ★ 多層量子井 ★ 電容電壓量測	關鍵字(英)	★ MQW ★ C-V ★ InGaN/GaN
論文目次	第一章:簡介 第二章:基本原理 2-1 電容電壓量測 2-2 電容電壓譜線的近似計算 2-2-1 單層量子井之計算 2-2-2 多層量子井加入壓電場之計算 2-3 導納量測 第三章:樣品結構及實驗裝置 3-1樣品結構 3-2實驗裝置 第四章:實驗結果與討論 4-1電容電壓量測 4-1-1 不同溫度之電容電壓量測 4-1-2 不同量測頻率之電容電壓量測 4-2 載子分佈圖 4-3不同樣品之電容電壓量測 4-4 導納量測 第五章:結論 參考文獻
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指導教授	徐子民(Tu-Min Hsu)	審核日期	2002-6-21
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