高銦含量氮化銦鎵薄膜之光學性質研究

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莊財福(Tsai-Fu Chuang) 查詢紙本館藏

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物理學系

論文名稱

高銦含量氮化銦鎵薄膜之光學性質研究
(Optical characteristics of In-rich InGaN thin film)

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摘要(中)

本篇論文利用光激發螢光光譜、微光激發螢光光譜及原子力顯微鏡，來研究高銦含量氮化銦鎵（InxGa1-xN）薄膜結構的發光特性。
由光激發螢光光譜，觀察在室溫下氮化銦鎵合金濃度分佈在0 ≦ x ≦ 1之間的發光位置。在原子力顯微鏡的影像發現，高銦含量（0.92≦ x ≦ 0.36）的氮化銦鎵表面有團狀物的形成，同時在變溫光譜中，其訊號峰值隨溫度上升，有一S型的能量變化外，半高寬變化也有不規則的改變。最後藉由不同位置及溫度改變的微光激發螢光光譜，來加以探討這些不尋常現象的原因。

關鍵字(中)

★ 氮化銦鎵

關鍵字(英)

論文目次

目錄
摘要 ……………………………………………………………………i
致謝 ……………………………………………………………………ii
目錄 ……………………………………………………………………iv
圖目錄 …………………………………………………………………vi
第一章簡介 …………………………………………………………1
第二章樣品結構及實驗裝置 ………………………………………6
2-1 氮化銦鎵薄膜樣品成長及結構 …………………………………6
2-2 光激發螢光光譜實驗裝置 ………………………………………9
2-3 微光激發光螢光光譜實驗裝置 …………………………………11
2-4 原子力顯微鏡 ……………………………………………………13
第三章實驗結果與分析 …………………………………………17
3-1 光激發螢光光譜室溫實驗 ………………………………………17
3-2 光激發螢光光譜變溫實驗 ………………………………………24
3-2-1 二元氮化銦鎵之溫度變化螢光光譜 ………………………24
3-2-2 三元氮化銦鎵之溫度變化螢光光譜 ………………………26
3-3 微光激發螢光光譜實驗 …………………………………………37
3-3-1 不同區域的微光激發螢光光譜 ……………………………37
3-3-2 溫度變化的微光激發螢光光譜 ……………………………38
第四章結論 ………………………………………………………43
參考文獻 ………………………………………………………………44
附錄中英對照表 ………………………………………………………48

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指導教授

徐子民(Tzu-Min Hsu)

審核日期

2005-7-20

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