| 姓名 |
陳俞文(Yu-Wen Chen)
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畢業系所 |
光電科學與工程學系 |
| 論文名稱 |
薄膜電晶體液晶顯示器精度提升之研究
(The Research of Improvement of the Accuracy of Amorphous Silicon TFT-LCD)
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| 摘要(中) |
本論文針對薄膜電晶體液晶顯示器於微影製程時，對於電極圖案進行細線寬優化的方法。過去進行微影製程時，僅利用曝光機之曝光能量(exposure dosage)，對產品精度進行調整與控制，以至於產品精度低於預期。本文提供之方法，不僅使用曝光能量，並針對光阻厚度、及顯影時間進行田口實驗，使細線精度由3.5μm，優化至3.25μm以下，並使良率維持在97.5%以上 。 |
| 摘要(英) |
This paper focuses on the thin line optimization method for the electrode totem when the thin film transistor LCD is used in the lithography process. In the past, only the exposure dose of the exposure machine was used to adjust and control the accuracy of the product when the lithography process, so that the product accuracy was lower than our expected. The method provided in this paper not only uses the exposure energy, but also experiments on the thickness of the photoresist and the development time to optimize the line precision from 3.5 μm to 3.25 μm and maintain the yield at 97.5% or more. |
| 關鍵字(中) |
★ 薄膜電晶體
★ 液晶顯示器
★ 精度 |
關鍵字(英) |
★ Accuracy
★ TFT-LCD |
| 論文目次 |
摘要 ……………………………………………………… i
Abstract ……………………………………………………… ii
誌謝 ……………………………………………………… iv
目錄 ……………………………………………………… v
圖目錄 ……………………………………………………… viii
表目錄 ……………………………………………………… xi
論文摘要 ……………………………………………………… xii
第一章 緒論………………………………………………… 1
1-1 研究背景…………………………………………… 1
1-2 研究動機…………………………………………… 2
1-3 研究目的…………………………………………… 3
1-4 研究貢獻…………………………………………… 5
第二章 實驗方法 ………………………………………… 6
2-1 TFT-LCD基本構造介紹 ………………………… 6
2-1-1 TFT-LCD顯示原理 ……………………………… 8
2-1-2 TFT-LCD面板介紹 ……………………………… 9
2-1-3 TFT-LCD面板電路介紹 ………………………… 11
2-1-4 TFT-LCD元件介紹 ……………………………… 12
2-1-5 TFT-LCD元件運作原理 ………………………… 13
2-2 TFT-LCD製程 …………………………………… 14
2-2-1 薄膜工程…………………………………………… 15
2-2-2 微影工程…………………………………………… 20
清洗單元…………………………………………… 21
塗佈單元…………………………………………… 21
(1) 熱板烘烤…………………………………………… 21
(2) 光阻塗佈…………………………………………… 21
(3) 減壓乾燥…………………………………………… 24
(4) 擦邊………………………………………………… 24
(5) 熱板軟烤…………………………………………… 25
曝光單元…………………………………………… 26
顯影單元…………………………………………… 26
2-2-3 蝕刻工程…………………………………………… 27
2-2-4 剝膜工程…………………………………………… 30
第三章 研究理論…………………………………………… 31
3-1 田口分析法………………………………………… 31
第四章 實驗方法…………………………………………… 36
4-1 實驗流程…………………………………………… 36
4-2 實驗條件…………………………………………… 37
4-2-1 光阻厚度…………………………………………… 37
4-2-2 曝光能量…………………………………………… 37
4-2-3 顯影時間…………………………………………… 37
4-2-4 電極圖案不良判定………………………………… 37
4-3 實驗儀器與分析儀器說明………………………… 38
4-3-1 塗佈顯影機 ……………………………………… 38
4-3-2 曝光機 …………………………………………… 39
4-3-3 圖案缺陷檢查機…………………………………… 40
4-3-4 光學線寬量測機…………………………………… 41
第五章 實驗結果與分析…………………………………… 43
5-1 光阻膜厚調整……………………………………… 43
5-2 曝光能量調整……………………………………… 43
5-3 顯影時間調整……………………………………… 44
5-4 分析結果…………………………………………… 45
第六章 結論與未來展望…………………………………… 48
6-1 結論………………………………………………… 48
6-2 未來展望…………………………………………… 48
參考文獻 ……………………………………………………… 50 |
| 參考文獻 |
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[12] Kuo-Yu Wu、Edward Yi Chang，The Strategy of Overlay Error Control in Semiconductor Lithography，2007年6月。 |
| 指導教授 |
張榮森(Rong-Seng Chang)
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審核日期 |
2018-7-25 |
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