以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士

、以作者查詢全國書目

、勘誤回報

、線上人數：66

、訪客IP：3.145.81.234

姓名	楊介振(Jie-Zhen Yang)  查詢紙本館藏	畢業系所	電機工程學系
論文名稱	幾何效應對於量子點奈米線的熱電特性影響
相關論文	★ 矽鍺/矽異質接面動態臨界電壓電晶體及矽鍺源/汲極結構之研製 ★ 量子點的電子能階 ★ 應用於數位電視頻帶之平衡不平衡轉換器設計 ★ 單電子電晶體之元件特性模擬 ★ 半導體量子點之穿隧電流 ★ 有機非揮發性記憶體之量測與分析 ★ 鍺奈米線與矽奈米線電晶體之研製 ★ 選擇性氧化複晶矽鍺奈米結構形成鍺量子點及在單電子電晶體之應用 ★ 以微控制器為基礎的智慧型跑步機系統研製 ★ 單電子電晶體耦合量子點的負微分電導效應 ★ 單電子電晶體的熱電效應 ★ 多量子點系統之熱電效應 ★ 多量子點系統之熱整流效應 ★ 單電子電晶體在有限溫度下的模擬 ★ 分子電晶體之穿隧電流與熱電效應 ★ 串接耦合量子點之熱電特性
檔案	[Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   [檢視]  [下載] 本電子論文使用權限為同意立即開放。 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的，進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。 請遵守中華民國著作權法之相關規定，切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送，以免觸法。
摘要(中)	本論文探討幾何效應對於量子點奈米線系統的影響，我們透過調整電子躍遷強度達到控制量子點奈米線使之呈現一維、二維及三維的特性。在室溫下，最大功率因數傾向於電極的化學勢遠離量子點能階。同時，我們發現當電子傳輸以熱電子輔助隧穿過程為主時，席貝克係數(S)幾乎與電導無關。這樣能使我們的功率因數(PF)得到提升。但其聲子熱導也會隨著量子點截面積增加而提昇，最後發現在直徑為20nm、長度為125nm的三維量子點奈米線中，ZT值可以大於3。
摘要(英)	We theoretically studied the topological effects on the thermoelectric properties of quantum dot array (QDA) quantum wires. The topological transition of QDAs from three dimension to one dimension can be modulated by different direction electron hopping strengths. At room temperature, the maximum power factor prefers the chemical potential of the electrodes away from the QD energy level. Meanwhile, we found that Seebeck coefficient is almost independent on electrical conductance when electron transport is dominated by thermionic assisted tunneling process. Finally, we obtained the thermoelectric figure of merit can reach three for a silicon quantum wire with a dimeter 20 nm and a length 125 nm.
關鍵字(中)	★ 量子點 ★ 熱電特性 ★ 幾何效應	關鍵字(英)	★ Quantum dot ★ power factor ★ nanowire
論文目次	摘要i Abstrct ii 目錄iii 圖目錄v 表目錄vii 第一章、導論1 1-1前言1 1-2熱電效應介紹2 1-3文獻回顧4 1-4研究動機5 第二章、系統模型 6 2-1 幾何效應量子點奈米線模型6 2-2 系統模型建立6 2-3 二維、三維量子點奈米線8 2-4 系統電子總能 9 2-5 電子流及熱流 10 2-6 熱電優值與熱電係數計算11 第三章、量子點奈米線熱電效應的模擬與結果13 3-1 維度相依的傳輸係數13 3-2 不同溫度下的熱電係數與電極化學位勢的關係14 3-3 特定化學位勢下熱電係數和溫度的關係15 3-4 聲子熱導對於量子點奈米線的影響 17 3-5 量子線截面積對於熱電係數的影響 19 第四章、結論21 參考文獻 22
參考文獻	[1] E. Velmre, Electronics Conference (BEC) 12th Biennial Baltic,Tallinn (2010). [2] Y. G. Gurevich and G. N. Logvinov, Semicond. Sci. Technol. 20, R57 (2005). [3] A. F. Ioffe,Infosearch Limited London(1957). [4] A. Majumdar, Science 303, 777 (2004). [5] L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 47, 16631 (1993). [6] L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 47, 12727 (1993). [7] L. D. Hicks, T. C. Harman, X. Sun and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 53, R10493(1996). [8] R.Venkatasubramanian, E. Siivola, T. Colpitts and B. O′Quinn, Nature 413,597 (2001). [9] N.V. Nong,E. Yusufu, T. Sugahara and N. Kagami ,Advanced Materials Technologies 4,1800556(2019). [10] D.Bimberg and U.W. Pohl, Materials Today 14(9),388-397(2011). [11] D.M.T. Kuo and Y.C. Chang, Phys. Rev. B 81, 205321(2010). [12] H.Haug and A.P.Jauho, Springer, Heidelberg(1996). [13] Y. F. Zhou, H. Jiang, X. C. Xie and Q. F. Sun, Phys. Rev. B 95,245137(2017). [14] N. X. Yang, Y. F. Zhou, P. Lv and Q. F. Sun, Phys. Rev. B 97 ,235435(2018). [15] D. M. T. Kuo, AIP Advances 10,045222 (2020). [16] D.M.T. Kuo, C.C.Chen, Y.C. Chang, Phys. Rev. B 95,075432 (2017). [17] G.L.Chen, D.M.T Kuo, W. T. Lai and P. W. Li, Nanotechnology,18, 475402(2007). [18] C. R. Kagan and C. B. Murry, Nature Nanotechnology 10,1013(2015). [19] R. K. Chen, A. I. Hochbaum, P. Murphy, J. Moore, P. D. Yang, and A. Majumdar, Phys. Rev. Lett. 101,105501(2008). [20] M. Hu and D. Poulikakos, Nano Lett. 12,5487 (2012). [21] C.Chang, M.Wu, D.He, Y.Pei, C.F.Wu, X.Wu, H.Yu , F.Zhu ,K.Wang , Y.Chen , L,Huang , J.F.Li, J.He and L.D.Zhao, Science 360,778 (2018). [22] C.Zhou. et al., Nat. Mater. 20,1378 (2021).
指導教授	郭明庭(Ming-Ting Kuo)	審核日期	2022-6-20
推文	facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu
網路書籤	Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare