以作者查詢圖書館館藏 、以作者查詢臺灣博碩士 、以作者查詢全國書目 、勘誤回報 、線上人數:71 、訪客IP:3.138.67.97
姓名 何建廷(Jian-Ting He) 查詢紙本館藏 畢業系所 電機工程學系 論文名稱 氧化鋁基板上微波功率放大器之研製 相關論文 檔案 [Endnote RIS 格式] [Bibtex 格式] [相關文章] [文章引用] [完整記錄] [館藏目錄] [檢視] [下載]
- 本電子論文使用權限為同意立即開放。
- 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
- 請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。
摘要(中) 運用已建立之主被動元件模型,我們設計了1.9 GHz單級MESFET功率放大器,製作完成後,量測特性結果與模擬值相當吻合,驗證了元件模型的準確度。
最後我們以此為基礎,以MESFET為主動元件,結合平衡器與放大器設計並且製作了1.9 GHz平衡型放大器,輸出功率比單級MESFET功率放大器提昇了一倍。另外,主動元件與薄膜被動元件以接線(wire-bonding)來連接,克服單晶微波積體電路中無法同時達到主、被動元件特性最佳化的問題。良好的增益與特性表現更進一步地顯示MIC電路設計、製作流程的可行性。
此外,在功率放大器的量測方面,除了輸出功率、功率增益、第三階交互調變截斷點( third-order intermodulation intercept point )的量測外,我們亦針對電路做GMSK與π/4 DQPSK的調變訊號量測,觀察其向量誤差百分比( error vector magnitude )之趨勢與特性。關鍵字(中) ★ 微波
★ 放大器關鍵字(英) ★ microwave
★ amplifier論文目次 目 錄
第一章 導論
§1.1研究動機……………………………………………1
§1.2論文綱要……………………………………………2
第二章 金半場效應電晶體(MESFET)大訊號模型之建立
§2.1電晶體大訊號模型之介紹..................4
§2.1.1電晶體大訊號模型之重要性...........4
§2.1.2電晶體大訊號模型的種類.............5
§2.2 MESFET小訊號模型之建立.................7
§2.2.1簡介..............................7
§2.2.2元件的高頻量測和寄生效應之扣除(de-embedding).....8
§2.2.3小訊號模型之建立...............................11
§2.3 MESFET大訊號模型之建立.............................13
§2.3.1電流之非線性特性...............................13
§2.3.2完整的電晶體大訊號模型.........................15
§2.4結語...............................................16
第三章 製作於氧化鋁基板上之微波積體電路 — 1.9 GHz
金半場效應電晶體(MESFET)微波功率放大器之
設計 與製作
§3.1簡介..................................20
§3.2功率放大器的設計原理...................20
§3.2.1直流偏壓點的選擇.................21
§3.2.2穩定性的考量.....................23
§3.2.3增益與輸出功率...................24
§3.2.4功率放大器之非線性考量............25
§3.3 1.9 GHz MESFET功率放大器之設計與製作...27
§3.3.1 1.9 GHz MESFET功率放大器電路之設計...27
§3.3.2 1.9 GHz MESFET功率放大器之製作.......29
§3.3.3量測結果.............................34
§3.4結語…………………………………………………43
第四章 製作於氧化鋁基板上之微波積體電路 — 1.9 GHz
平衡型功率放大器之設計與製作
§4.1簡介....................................44
§4.2平衡型功率放大器的設計原理................44
§4.2.1利用藍吉耦合器( Lange Coupler ).....44
§4.2.2利用集總元件式平衡器................45
§4.3 1.9 GHz平衡型功率放大器之設計與製作......47
§4.3.1 1.9 GHz平衡型功率放大器電路之設計...47
§4.3.2 1.9 GHz平衡型功率放大器之製作.......50
§4.3.3量測結果............................52
§4.4結語.....................................58
第五章 結論...................................59
參考文獻......................................61參考文獻 參 考 文 獻
[1] “MEDICI user’s manual”, Technology Modeling Associates,
Inc., 1995.
[2] R.F. Pierret, “Semiconductor Device Fundamentals”,
Addison Wesley, 1996.
[3] “HP 85190 series high-frequency IC-CAP software user’s
manual”, Hewlett Packard, 1995.
[4] Walter R. Curtice and M. Ettenberg, “A Nonlinear GaAs FET
Model for Use in the Design of Output Circuit for Power
Amplifiers”, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. MTT-
33, NO. 12, December 1985.
[5] H. Cho, and D.E. Burk, “A three-step method for the de-
embedding of high-frequency S-parameter measurement”, IEEE
Trans. on Electron Devices, vol. 38, pp. 1371-1375, 1991.
[6] J. L. B. Walkler, ed., “High power GaAs FET amplifiers”,
Artech House, 1993.
[7] Cripps, S. C., “A theory for the prediction of GaAs FET
load-pull power contours”, IEEE MTTS, pp. 221-223, 1983.
[8] S.C. Cripps, “Old-fashioned remedies for GaAs FET power
amplifier designers”, IEEE MTTS Newsletter, pp. 13-17,
Summer, 1981.
[9] 吳漢豪, “微波電路高品質電感及主、被動濾波器之研製”, 碩士論文,
國立中央大學, 1998.
[10] W. R. Runyan, K. E. Bean, “Semiconductor Integrated
Circuit Processing Technology”, Addison Wesley, 1996.
[11] 黃俊雄, “0.1 MHz ~ 1.3 GHz / 1.3 GHz ~ 2.6 GHz 寬頻帶射頻
功率放大器之設計”, 碩士論文, 國立成功大學, 1996.
[12] 林彥亨, “製作於氧化鋁基板上之積體化微波混波器”, 碩士論文,
國立中央大學, 1999.
[13] HP 85150B Microwave Design System, Discovering the System
: Building and Analyzing Circuits, vol. 1, 1990.指導教授 詹益仁(Yi-Jen Chan) 審核日期 2000-6-14 推文 facebook plurk twitter funp google live udn HD myshare reddit netvibes friend youpush delicious baidu 網路書籤 Google bookmarks del.icio.us hemidemi myshare