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姓名	鄭先發(Xian-Fa Zhen )  查詢紙本館藏	畢業系所	電機工程研究所
論文名稱	p型披覆層對量子井藍色發光二極體發光機制之影響
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摘要(中)	摘要 本論文的主要研究方向是想探討成長不同p型披覆層的藍色發光二極體，其量子井中發光強度隨著溫度變化的改變情形。我們所成長的p型披覆層分別為氮化鎵(GaN)、氮化鎵加上氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵超晶格加上氮化鎵等不同結構。 量測方面，我們利用變溫電激光譜(Electroluminescence, EL)及變溫霍爾量測(Hall Measurement)，來探討其光學特性及電特性之異同及其影響。對於電洞濃度而言，其濃度正比於exp(-EA/kT)，由公式推導可得，p型氮化鎵的活化能為136.6meV、p型氮化鋁鎵/氮化鎵超晶格的活化能為70.8meV，而對於p型氮化銦鎵，由於受銦分佈不均勻所影響，故其濃度不隨溫度變化而改變，且其電洞濃度高於1019 cm-3。而對於電激光譜強度變化情形，在低溫時，以p型氮化鎵為被覆層的藍色發光二極體，在70K時，跟其他兩片試片相比，其發光強度非常的弱，但隨著溫度慢慢增加時，其發光強度一直增加，這是由於p型氮化鎵的電洞濃度有明顯的改變所致。在高溫下，對於以p型氮化鋁鎵/氮化鎵超晶格為被覆層的藍色發光二極體，其電激光譜訊號的強度變化有較大幅的下降，除了受到熱擾動的影響外，其強度變化還會受到電洞濃度的影響。
關鍵字(中)	★ 發光二極體 ★  量子井	關鍵字(英)
論文目次	目錄 第一章 導論 1 第二章 藍色發光二極體元件結構與製程 4 2.1 元件結構 4 2.2 元件製作過程 5 第三章 變溫霍爾量測 16 3.1 序論 16 3.2 變溫霍爾的量測結果與分析 17 3.3 本章總結 28 第四章 變溫電激光譜 31 4.1 序論 31 4.2 量測電激光譜之光學量測系統 32 4.3 變溫電激光譜的量測結果與強度變化之分析 34 4.4 本章總結 43 第五章 結論 44 參考文獻 47
參考文獻	參考文獻 [1]H. Obloh, K.H. Bachem, U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, A. Ramakrishnan, P. Schlotter, J. Crystal Growth, 195, 270 (1998) [2]U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan, B. Santic, P. Schlotter, Appl. Phys. Lett., 72, 1326 (1998) [3]D. Wang, Feng Shiwei, C. Lu, Abhishek Motayed, Muzar, Jah, S. Noor Mohammad, J. Appl. Phys, 89,6214 (2001) [4]D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau, J. Appl. Phys., 88, 4196 (2000) [5]H. Kim, Dong-Joon Kim, Seong-Ju Park, Hyunsang Hwang, J. Appl. Phys., 89, 1506 (2001) [6]C. Huh, Hyun-Soo Kim, Sang-Woo Kim, Ji-Myon Lee, Dong-Joon Kim, In-Hwan Lee, Seong-Ju Park, J. Appl. Phys., 87, 4464 (2000) [7]T. E. Jenkins, Semiconductor Science, 141 (1995) [8]W. Gotz, N. M. Johnson, J. Waller, D. P. Bour, R. A. Street, Appl. Phys. Lett., 68, 667 (1996) [9]S. Fisher, C. Wetzel, E. E. Haller, B. K. Meyer, Appl. Phys. Lett., 60, 1298 (1995) [10]T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, M. Koike, Appl. Phys. Lett., 65, 593 (1994) [11]P. Perlin, Phys. Rev. Lett. 75, 296 (1995) [12]D. K. Schroder, Semiconductor Material And Device Characteriza- tion, 101 (1998) [13]H. Morkoc, Nitride Semiconductors and Devices, 239 (1998) [14]P. Kozodoy, Monica Hansen, Stevev P. DenBaars, Umesh K. Mishra , Appl. Phys. Lett, 74, 3681 (1999) [15]P. Kozodoy, Yulia P. Smorchkova, Monica Hansen, Huili Xing, Steve P.DenBarrs, U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett., 75, 2444 (1999) [16]K. Kumakura, Toshiki Makimoto, Naoki Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., 39, L337 (2000) [17]I. H. Ho, G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett., 69, 2701 (1996) [18]C. M. Lee, Chang-Cheng Chuo, Jing-Fu Dai, Xian-Fa Zheng, Jen-Inn Chyi, J. Appl. Phys., 89, 6554 (2001)
指導教授	綦振瀛(Jen-Inn Chyi)	審核日期	2001-7-16
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