氮化鋁銦鎵藍紫光雷射二極體之研製

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士

、以作者查詢全國書目

、勘誤回報

、線上人數：31

、訪客IP：18.119.125.252

姓名

李建德(Kan-Der Lee) 查詢紙本館藏

畢業系所

電機工程學系

論文名稱

氮化鋁銦鎵藍紫光雷射二極體之研製

相關論文

★ 磷化銦異質接面雙極性電晶體元件製作與特性分析	★ 氮化鎵藍紫光雷射二極體之製作與特性分析
★ 氮化銦鎵發光二極體之研製	★ 氮化銦鎵藍紫光發光二極體的載子傳輸行為之研究
★ 次微米磷化銦/砷化銦鎵異質接面雙極性電晶體自我對準基極平台開發	★ 以 I-Line 光學微影法製作次微米氮化鎵高電子遷移率電晶體之研究
★ 矽基氮化鎵高電子遷移率電晶體通道層與緩衝層之成長與材料特性分析	★ 磊晶成長氮化鎵高電子遷移率電晶體結構於矽基板過程晶圓翹曲之研析
★ 氮化鎵/氮化銦鎵多層量子井藍光二極體之研製及其光電特性之研究	★ 砷化銦量子點異質結構與雷射
★ 氮化鋁鎵銦藍紫光雷射二極體研製與特性分析	★ p型披覆層對量子井藍色發光二極體發光機制之影響
★ 磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體鈍化層穩定性與高頻特性之研究	★ 氮化鋁中間層對氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效電晶體之影響
★ 不同濃度矽摻雜之氮化鋁銦鎵位障層對紫外光發光二極體發光機制之影響	★ 二元與四元位障層應用於氮化銦鎵綠光二極體之光性分析

檔案

[Endnote RIS 格式]

[Bibtex 格式]

[相關文章]

[文章引用]

[完整記錄]

[館藏目錄]

[檢視]

[下載]

本電子論文使用權限為同意立即開放。
已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的，進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
請遵守中華民國著作權法之相關規定，切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送，以免觸法。

摘要(中)

本論文的研究主題為氮化鎵藍紫光雷射二極體，從第一章導論中簡介藍光雷射二極體重要性及應用，與雷射二極體的原理及運作，和藍光雷射二極體的發展歷史，及目前各研究單位的近況。第二章為結構與製程相關的細部說明，第三章在n型電極製作與蝕刻製程的問題分析，第四章的電性與光性之量測結果，以及第五章結論等等，共分成主要五個章節，討論藍光雷射二極體製作的相關技術及問題。

關鍵字(中)

★ 乾蝕刻
★ 藍紫光
★ 雷射二極體
★ 氮化鎵

關鍵字(英)

論文目次

論文摘要 I
致謝 II
目錄 III
圖片索引 V
表格索引 VII
第一章導論 1
1.1簡介 1
1.2雷射二極體原理 4
1.2.1雷射二極體的發現與演進 4
1.2.2雷射二極體的原理與運作 6
1.3發展與現況 9
1.3.1發展 9
1.3.2現況 10
第二章結構與製程 18
2.1結構 18
2.1.1低溫緩衝層 19
2.1.2調變摻雜超晶格結構披覆層 19
2.2製程 21
2.2.1劈裂製程 21
2.2.2研磨製程 21
2.2.3清潔製程 22
2.2.4微影製程 24
2.2.5薄膜製程 26
2.2.6蝕刻製程 27
2.2.7高溫製程 29
第三章製程問題分析 33
3.1電極製作 33
3.1.1 n型歐姆接觸 34
3.1.2 n型歐姆接觸的處理 39
3.2乾蝕刻製程 43
3.2.1 機台簡介與遮罩選用 43
3.2.2 蝕刻條件測試 45
第四章雷射二極體之量測與分析 53
4.1元件電性 53
4.2元件光性 56
4.3光功率－電流曲線 62
第五章結論 66
參考文獻 68

參考文獻

[1] V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov,
V. V. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima,
A. V. Mudryi, A. Hashimoto, A. Yamamoto, J. Aderhold,
J. Graul, and E. E. Haller:
phys. stat. sol. (b), Vol. 230, No. 2, pp. R4-R6 (2002)
[2] R. N. Hall, G. E. Fenner, J. D. Kingsley, T. J. Soltys,
and R. O. Carlson:
Phys. Rev. Lett., Vol. 9, No. 9, pp.366-368 (1962)
[3] 郭奕玲沈慧君編著, 李精益校定,
“科學的榮耀諾貝爾物理學獎百年回顧”,
科技圖書股份有限公司 (2002)
[4] M. B. Panish, I. Hayashi, and S. Sumski:
Appl. Phys. Lett., Vol. 16, No. 8, pp.326-327 (1970)
[5] I. Hayashi, M. B. Panish, P. W. Foy and S. Sumski:
Appl. Phys. Lett., Vol. 17, No. 3, pp.109-111 (1970)
[6] R. Dingle, W. Wiegmann, and C. H. Henry:
Phys. Rev. Lett., Vol. 33, No. 14, pp.327-330 (1974)
[7] R. Dingle, K. L. Shaklee, R. F. Leheny, and R. B. Zetterstrom:
Appl. Phys. Lett., Vol. 19, No. 1, pp.5-7 (1971)
[8] X. H. Yang, T. J. Schmidt, W. Shan, and J. J. Song:
Appl. Phys. Lett., Vol. 66, No. 1, pp.1-3 (1995)
[9] I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka,
and M. Koike:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 34, No. 11B, pp.L1517-L1519 (1995)
[10] I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike,
and H Amano:
Electronics Letters, Vol. 32, No. 12, pp.1105-1106 (1996)
[11] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35, No. 1B, pp.L74-L76 (1996)
[12] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku:
Appl. Phys. Lett., Vol. 69, No. 10, pp.1477-1479 (1996)
[13] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku:
Appl. Phys. Lett., Vol. 69, No. 20, pp.3034-3036 (1996)
[14] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku:
Appl. Phys. Lett., Vol. 69, No. 26, pp.4056-4058 (1996)
[15] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku:
Appl. Phys. Lett., Vol. 70, No. 7, pp.868-870 (1997)
[16] K. Itaya, M. Onomura, J. Nishio, L. Sugiura, S. Saito:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35, No. 10B, pp.L1315-L1317 (1996)
[17] A. Kuramata, K. Demon, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota,
and T. Tanahashi:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 36, No. 9A/B, pp.L1130-L1132 (1997)
[18] A. Kuramata, S. Kubota, R. Soejima, K. Domen, K. Horino,
and T Tanahashi:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 11B, pp.L1373-L1375 (1998)
[19] A. Kuramata, S. Kubota, R. Soejima, K. Domen, K. Horino,
P. Hacke, and T Tanashi:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 5A, pp.L481-L483 (1999)
[20] A. Tsujimura, Y. Hasegawa, A. Ishibashi, S. Kamiyama,
I. Kidoguchi, R. Miyanaga, M. Suzuki, M. Kume,
K. Harafuji, and Y. Ban:
Electronics Letters, Vol. 35, No. 12, pp.998-999 (1999)
[21] A. Tsujimura, A. Ishibashi, Y. Hasegawa, S. Kamiyama, I. Kidoguchi, N. Otsuka, R. Miyanaga, G. Sugahara,
M. Suzuki, M. Kume, K. Harafuji, and Y. Ban:
phys. stat. sol. (a) 176, No. 1, pp.53-57 (1999)
[22] D. P. Bour, M. Kneissl, L. T. Romano, M. D. McCluskey,
C. G. Van deWalle, B. S. Krusor, R. M. Donaldson,
J. Walker, C. Dunnrowicz, and N. M. Johnson:
IEEE Journal of Selected Topics Quantum Electronics,
Vol. 4, No. 3, pp498-504 (1998)
[23] D. P. Bour, M. Kneissl, C. G. Van deWalle, J. Northrup,
L. T. Romano, M. Teepe, R. Wood, T. Schmidt,
and N. M. Johnson:
phys. stat. sol. (a), Vol. 180, No. 1, pp.139-147 (2000)
[24] F. Nakamura, T. Kobayashi, T. Tojo, T. Asatsuma,
K. Naganuma, H. Kawai, and M. Ikeda:
Electronics Letters, Vol. 34, No. 11, pp.1105-1107 (1998)
[25] G. E. Bulman, K. Doverspike, S.T. Sheppard, T. W. Weeks,
H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown,
J. T. Swindell, and Schetzina:
Electronics Letters, Vol. 33, No. 18, pp.1556-1557 (1997)
[26] G. E. Bulman, K. Doverspike, K. W. Haberern, H. Dieringer, H. S. Kong, J. A. Edmond, Y. K. Song, M. Kuball,
and A. V. Nurmikko:
Proceedings of SPIE, Vol. 3628, pp.1556-1557 (1999)
[27] H. Katoh, T. Takeuchi, C. Anbe, R. Mizumoto, S. Ymaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, and N. Yamada:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 4B, pp.L444-L446 (1998)
[28] K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima,
A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano,
and I. Akasaki
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 43, No. 4A, pp.L499-L500 (2004)
[29] M. Kneissl, D. P. Bour, N. M. Johnson, L. Romano, B. Krusor,
R. Donaldson, J. Walker, C. Dunnrowicz, and R. Bringans:
Appl. Phys. Lett., Vol. 72, No. 13, pp.1539-1541 (1998)
[30] M. Kneissl, D. P. Bour, C. G. Van de Walle, L. T. Romano,
J. E. Northrup, R. M. Wood, M. Teepe, and N. M. Johnson:
Appl. Phys. Lett., Vol. 75, No. 4, pp.581-583 (1999)
[31] M. Kneissl, D. P. Bour, L. Romano, C. G. Van de Walle,
J. E. Northrup, W. S. Wong, D. W. Treat, T. Schmidt,
and N. M. Johnson:
Appl. Phys. Lett., Vol. 77, No. 13, pp.1931-1933 (2000)
[32] M. Kneissl, T. L. Paoli, P. Kiesel, D. W. Treat, M. Teepe,
N. Miyashita, and N. M. Johnson:
Appl. Phys. Lett., Vol. 80, No. 18, pp.3283-3285 (2002)
[33] M. Kneissl, W. S. Wong, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita,
and N. M. Johnson:
IEEE Journal of Selected Topics Quantum Electronics,
Vol. 7, No. 2, pp188-191 (2001)
[34] M. Kneissl, W. S. Wong, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita,
and N. M. Johnson:
phys. stat. sol. (a), Vol. 188, No. 1, pp.23-29 (2001)
[35] M. Kneissl, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita,
and N. M. Johnson:
phys. stat. sol. (a), Vol. 200, No. 1, pp.118-121 (2003)
[36] M. Koike, S. Yamasaki, Y. Tezen, S. Nagai, S. Iwayama,
and A. Kojima:
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W1.2 (2000)
[37] M. Kuramoto, A. Kimura, C. Sasaoka, T. Arakida, M. Nido,
and M. Mizuta:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 9A/B, pp.L925-L927 (2001)
[38] M. Kuramoto, C. Sasaoka, Y. Hisanaga, A. Kimura,
A. A. Yamaguchi, H. Sunakawa, N. Kuroda, M. Nido, A. Usui, and M. Mizuta:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 2B, pp.L184-L186 (1999)
[39] M. Kuramoto, C. Sasaoka, Y. Hisanaga, A. Kimura,
A. A. Yamaguchi, H. Sunakawa, N. Kuroda, M. Nido, A. Usui, and M. Mizuta:
phys. stat. sol. (a), Vol. 176, No. 1, pp.35-38 (1999)
[40] M. Miyachi, H. Ota, Y. Kimura, A. Watanabe, T. Tanaka,
H. Takahashi, and K. Chikuma:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 11A, pp.L1237-L1239 (1999)
[41] M. Miyachi, Y. Kimura and K. Chikuma:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 43, No. 2A, pp.L136-L138 (2004)
[42] M. P. Mack, A. Abare, M. Aizcorbe, P. Kozodoy, S. Keller, U. K. Mishra, L. Coldren, and S. DenBaars:
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. Vol. 2, No. 41 (1997)
[43] M. P. Mack, G. D. Via, A. C. Abare, M. Hansen, P. Kozodoy,
S. Keller, J. S. Speck, U. K. Mishra, L. A. Coldren
and S. P. DenBaars:
Electronics Letters, Vol. 34, No. 13, pp.1315-1316 (1998)
[44] M. Takeya, T. Tojyo, T. Asano, S Ikeda, T. Mizuno, O. Matsumoto, S. Goto, Y. Yabuki, S. Uchida, and M. Ikeda:
phys. stat. sol. (a), Vol. 192, No. 2, pp.269-276 (2002)
[45] M. Razeghi, A. W. Saxler, P. Kung, D. Walker, X. Zhang, A. Rybaltowski, Y. Xiao, H. J. Yi, and J. E. Diaz:
Proceedings of SPIE, Vol. 3284, pp.113-121 (1998)
[46] R. Czernetzki, M. Leszczynski, I. Grzegory, P. Perlin,
P. Prystawko, C. Skierbiszewski, M. Krysko, M. Sarzynski,
P. Wisniewski, G. Nowak, A. Libura, S. Grzanka, T. Suski,
L. Dmowski, E. Litwin-Staszewska, M. Bockowski,
and S. Porowski:
phys. stat. sol. (a), Vol. 200, No. 1, pp.9-12 (2003)
[47] R. Kehl Sink, “Cleaved-Facet Group-III Nitride Lasers”,
Electrical and Computer Engineer Dept., Ph.D., UCSB (2000)
[48] R. Soejima, A. Kuramata, S. Kubota, K. Domen, K. Horino,
and T. Tanahashi:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 10B, pp.L1205-L1207 (1998)
[49] S. Bader, B. Hahn, H. -J. Lugauer, A. Lell, A. Weimar,
G. Brüderl, J. Baur, D. Eisert, M. Scheubeck, S. Heppel,
A. Hangleiter, and V. Härle:
phys. stat. sol. (a), Vol. 180, No. 1, pp.177-182 (2000)
[50] S. Goto, M. Ohta, Y. Yabuki, Y. Hoshina, K. Naganuma,
K. Tamamura, T. Hashizu, and M. Ikeda:
phys. stat. sol. (a), Vol. 200, No. 1, pp.122-125 (2003)
[51] S. Ito, Y. Yamasaki, S. Omi, K. Takatani, T. Kawakami, T. Ohno,
M. Ishida, Y. Ueta, T. Yuasa, and M. Taneya:
phys. stat. sol. (a), Vol. 200, No. 1, pp.131-134 (2003)
[52] S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, and T. Mukai:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 5A, pp.3075-3081 (2001)
[53] S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano and T. Mukai:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 8A, pp.L788-L791 (2001)
[54] S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, and T. Mukai:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 1, pp.5-10 (2002)
[55] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, H. Kiyoku, and T. Mukai:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35, No. 2B, pp.L217-L220 (1996)
[56] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku:
Appl. Phys. Lett., Vol. 70, No. 11, pp.1417-1419 (1997)
[57] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, T. Matsushita,
H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano,
and T. Mukai:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 3A, pp.L226-L229 (1999)
[58] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa,
T. Matsushita, and T. Mukai:
Appl. Phys. Lett., Vol. 76, No. 1, pp.22-24 (2000)
[59] S. Nunoue, M. Yamamoto, M. Suzuki, C. Nozaki, J. Nishio,
L. Sugiura, M. Onomura, K. Itaya, and M. Ishikawa:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 3B, pp.1470-1473 (1998)
[60] S. Kijima, T. Tojyo, S. Goto, M. Takeya, T. Asano, T. Hino,
S. Uchida, and M. Ikeda:
phys. stat. sol. (a), Vol. 188, No. 1, pp.55-58 (2001)
[61] T. Asano, K. Yanashima, T. Asatsuma, T. Hino, T. Yamaguchi,
S. Tomiya, K. Funato, T. Kobayashi, and M. Ikeda:
phys. stat. sol. (a), Vol. 176, No. 1, pp.23-30 (1999)
[62] T. Asano, M. Takeya, T. Tojyo, T. Mizuno, S. Ikeda, K. Shibuya,
T. Hino, S. Uchida, and M. Ikeda:
Appl. Phys. Lett., Vol. 80, No. 19, pp.3497-3499 (2002)
[63] T. Böttcher, Ch. Zellweger, S. Figge, R. Kröger, Ch. Petter,
H. -J. Bühlmann, M. Ilegems, P.L. Ryder, D. Hommel:
phys. stat. sol. (a), Vol. 191, No. 1, pp.R3-R5 (2002)
[64] Tim Böttcher, “Heteroepitaxy of Group-Ⅲ-Nitrides for the Application in Laser Diodes”, Institute of Solid State Physics, Ph.D., University of Bremen (2002)
[65] T. Kobayashi, F. Nakamura, K. Naganuma, T. Tojyo,
H. Nakajima, T. Asatsuma, H. Kawai, and M. Ikeda:
Electronics Letters, Vol. 34, No. 15, pp.1494-1495 (1998)
[66] T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Yano, M. Yamaguchi,
N. Hayashi, M. Iwaya, K. Isomura, K. Kimura, H. Amano,
I. Akasaki, Yw. Kaneko, S. Watanabe, Y. Yamaoka,
R. Shioda, T. Hidaka, Ys. Kaneko, and N. Yamada:
phys. stat. sol. (a), Vol. 176, No. 1, pp. 31-34 (1999)
[67] T. Tojyo, T.Asano, M. Takeya, T. Hino, S. Kijima, S. Goto,
S. Uchida, and M. Ikeda:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 5A, pp.3206-3210 (2001)
[68] T. Tojyo, S. Uchida, T. Mizuno, T. Asano, M. Takeya, T. Hino,
S. Kijima, S. Goto, Y. Yabuki, and M. Ikeda:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 3B, pp.1829-1833 (2002)
[69] Umesh K. Mishra and Steven P. DenBaars:
Optoelectronic and Microelectronic Materials Devices, 1998. Proceedings 1998 Conference on , 14-16 Dec. 1998
pp.175–178
[70] Y. Kimura, M. Miyachi, H. Takahashi, T. Tanaka, M. Nishitsuka,
A. Watanabe, H. Ota and K. Chikuma:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 10B, pp.L1231-L1233 (1998)
[71] Y. Ohba and S. Iida:
phys. stat. sol. (a), Vol. 200, No. 1, pp. 126-130 (2003)
[72] 行政院國家科學委員會委託光電科技工業協進會辦理,
“2003年光電半導體產業及技術動態調查報告” (2004)
[73] 史光國,“現代半導體發光及雷射二極體材料技術”,
全華科技圖書股份有限公司 (2001)
[74] 史光國,“現代半導體發光及雷射二極體材料技術－進階篇”,
全華科技圖書股份有限公司 (2004)
[75] BPA International, Compound Semiconductor.net,
“Taiwanese university develops violet laser diode”,
http://compoundsemiconductor.net/articles/news/7/2/23/1
[76] Shuji Nakamura, Stephen Pearton, Gerhard Fasol:
“The Blue Laser Diode”, 2nd. Ed., Springer-Verlag (2000)
[77] S. Nakamura:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 30, No. 10A, pp.L1705-L1707 (1991)
[78] 陳冠廷, “氮化鋁鎵銦藍紫光雷射二極體研製與特性分析”,
電機工程系, 碩士論文, 國立中央大學 (2000)
[79] P. Kozodoy, Y. P. Smorchkova, M. Hansen, H. Xing, S. P. DenBaars, U. Mishra, A. W. Saxler, R. Perrin,
and W. C. Mitchel:
Appl. Phys. Lett., Vol. 75, No. 16, pp.2444-2446 (1999)
[80] A. Motayed, R. Bathe, M. C. Wood, O. S. Diouf, R. D. Vispute,
and S. Noor Mohammad:
J. Appl. Phys., Vol. 93, No. 2, pp.1087-1094 (2003)
[81] Y. Wu, W. Jiang, B. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. DenBaars, and U. K. Mishra:
Proceedings of the Topical Workshop on III–V Nitrides,
Nagoya, Japan (1995)
[82] 林明儀, “P型氮化銦鎵歐姆接觸層對氮化鋁鎵銦藍紫光雷射二極體之影響”, 電機工程系, 碩士論文, 國立中央大學 (2001)
[83] X. A. Cao, S. J. Pearton, A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren,
R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman and J. M. Van Hove:
Appl. Phys. Lett., Vol. 75, No. 17, pp.2569-2571 (1999)
[84] S. W. Pang:
J. Electrochem. Soc., Vol. 133, No. 4,, pp 784-786 (1986)
[85] Stephen J. Pearton, ”Wide Bandgap Semiconductors”,
William Andrew Publishing (2000)
[86] T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda:
Appl. Phys. Lett., Vol. 76, No. 23, pp.3421-3423 (2000)
[87] Mitsuo Fukuda, “Reliability and Degradation of Semiconductor Lasers and LEDs”, Artech House Inc. (1991)
[88] Mitra Dutta, and Michael A. Stroscio, “Advances in Semiconductor Lasers and Applications to Optoelectronics”,
World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd. (2000)
[89] 卓昌正, “氮化銦鎵量子井與藍紫光雷射二極體結構之成長與分析”, 電機工程系, 博士論文, 國立中央大學 (2001)
[90] V. E. Bougrov and A. S. Zubrilov:
J. Appl. Phys., Vol. 81, No. 7, pp.2952-2956 (1997)

指導教授

綦振瀛(Jen-Inn Chyi)

審核日期

2004-7-16

推文