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姓名	許文杰(Wen-chieh Hsu)  查詢紙本館藏	畢業系所	電機工程學系
論文名稱	大面積覆晶式氮化鎵發光二極體之研製與特性探討 (Large Area GaN based flip-chip light emitting diode)
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摘要(中)	在白光發光二極體照明的應用上，受限於氮化鎵晶粒的發光效率與螢光粉的轉換效率，目前白光二極體發光效率只有74 lm/W，尚不足以取代日常照明。為了提高發光亮度以及改善效率，在本論文中分別以大面積元件及覆晶式元件製程技術為研究之目標；應用大面積元件之技術可增加元件的操作電流，達到光能輸出增加的效果。同時為了增進元件在高操作電流下的效率表現，大面積發光二極體若配合覆晶之製程技術則可增加熱散逸的能力，減緩因熱累積而造成的效率下降。在本論文中主要針對發光二極體尺寸大型化時出現之電流擁塞現象及覆晶式元件反射電極之熱穩定性做研究探討，並提出改善之方案。最後結合上述兩項技術所製作的大面積覆晶式氮化鎵發光二極體，能達到提高光能輸出，同時維持元件操作時穩定性的目標。
關鍵字(中)	★ 氮化鎵 ★ 發光二極體	關鍵字(英)	★ LED ★ GaN
論文目次	目錄 第一章 導論 1 第二章 氮化鎵發光二極體元件結構與製程 4 2.1發光二極體元件結構 4 2.2發光二極體元件製程 5 2.3量測設備介紹 13 2.3.1 二維光強度分佈影像量測系統 13 2.3.2 反射率與穿透率量測系統介紹 13 第三章 大面積發光二極體發光均勻性之研究 15 3.1簡介 15 3.1.1發光二極體電流擁塞現象介紹 15 3.2不同指叉式電極配置對電流擁塞的影響 19 3.3指叉式電極之電阻對電流擁塞的影響 24 3.4本章總結 31 第四章 反射電極之熱穩定性之研究 32 4.1 簡介 32 4.2 Pd/NiO/Al/Ti/Au反射電極的熱穩定性之研究 36 4.2.1 Pd/Ni厚度比例與氧化溫度對歐姆接觸層的影響 36 4.2.2 Pd/NiO/Al/Ti/Au反射電極之熱穩定性 39 4.3 本章總結 49 第五章 大面積覆晶式發光二極體光電特性量測分析 50 第六章 結論 53
參考文獻	參考文獻 [1] Pendeoepitaxy of gallium nitride thin films Kevin Linthicum,Thomas Gehrke, Darren Thomson, Eric Carlson, Pradeep Rajagopal, Tim Smith, Dale Batchelor, and Robert Davis Appl. Phys. Lett. 75, 196 (1999) [2] Increase in the extraction efficiency of GaN-based light-emitting diodes via surface roughening T. Fujii,Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars,and S. Nakamura Appl. Phys. Lett. 84, 855 (2004) [3] Improved light-output and electrical performance of InGaN-based light-emitting diode by microroughening of the p-GaN surface Chul Huh,Kug-Seung Lee, Eun-Jeong Kang, and Seong-Ju Park J. Appl. Phys. 93, 9383 (2003) [4] http://www.cree.com/ftp/pub/Cpr3bd.pdf [5] High-power AlGaInN flip-chip light-emitting diodes J. J. Wierer,D. A. Steigerwald, M. R. Krames, J. J. O'Shea, M. J. Ludowise, G. Christenson,Y.-C. Shen, C. Lowery, P. S. Martin, S. Subramanya, W. Götz, N. F. Gardner, R. S. Kern, and S. A. Stockman Appl. Phys. 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指導教授	綦振瀛(Jen-inn Chyi)	審核日期	2004-7-15
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