氮砷化銦鎵雷射二極體成長與研製

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士

、以作者查詢全國書目

、勘誤回報

、線上人數：18

、訪客IP：18.188.70.255

姓名

邱培晉(Pei-Chin Chiu) 查詢紙本館藏

畢業系所

電機工程學系

論文名稱

氮砷化銦鎵雷射二極體成長與研製
(Growth and fabrication of InGaAsN laser diode.)

相關論文

★ 磷化銦異質接面雙極性電晶體元件製作與特性分析	★ 氮化鎵藍紫光雷射二極體之製作與特性分析
★ 氮化銦鎵發光二極體之研製	★ 氮化銦鎵藍紫光發光二極體的載子傳輸行為之研究
★ 次微米磷化銦/砷化銦鎵異質接面雙極性電晶體自我對準基極平台開發	★ 以 I-Line 光學微影法製作次微米氮化鎵高電子遷移率電晶體之研究
★ 矽基氮化鎵高電子遷移率電晶體通道層與緩衝層之成長與材料特性分析	★ 磊晶成長氮化鎵高電子遷移率電晶體結構於矽基板過程晶圓翹曲之研析
★ 氮化鎵/氮化銦鎵多層量子井藍光二極體之研製及其光電特性之研究	★ 砷化銦量子點異質結構與雷射
★ 氮化鋁鎵銦藍紫光雷射二極體研製與特性分析	★ p型披覆層對量子井藍色發光二極體發光機制之影響
★ 磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體鈍化層穩定性與高頻特性之研究	★ 氮化鋁中間層對氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效電晶體之影響
★ 不同濃度矽摻雜之氮化鋁銦鎵位障層對紫外光發光二極體發光機制之影響	★ 二元與四元位障層應用於氮化銦鎵綠光二極體之光性分析

檔案

[Endnote RIS 格式]

[Bibtex 格式]

[相關文章]

[文章引用]

[完整記錄]

[館藏目錄]

[檢視]

[下載]

本電子論文使用權限為同意立即開放。
已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的，進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
請遵守中華民國著作權法之相關規定，切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送，以免觸法。

摘要(中)

本論文針對利用有機金屬氣相磊晶法成長氮砷化銦鎵量子井做一系列的討論，包括磊晶參數的影響，以及改善量子井光學特性的方法，另外觀察釐清氮砷化銦鎵量子井成長在含鋁的磊晶層上光學特性會出現衰化的現象，主要是因為有機金屬氣相磊晶系統內的鋁殘留現象，以及氮和鋁之間的強鍵結所造成的，為了避免此一現象，本文提出二次成長和鈍化法兩種技術解決，尤其是鈍化法，對於量產具有極大的優點，利用這些方法，成功的解決此一問題，製作出1.262微米的氮砷化銦鎵量子井雷射。

摘要(英)

The effects of two-step and nitride passivation growth of InGaAsN QW on AlGaAs/GaAs cladding layers have been studied. It is shown that both methods are effective on reducing Al-contamination and improving optical quality of InGaAsN QW. While lasers prepared by both methods exhibit almost the same characteristics, nitride passivation is preferred due to its simple process and short run-time, which are essential for mass production.

關鍵字(中)

★ 氮砷化銦鎵
★ 雷射

關鍵字(英)

★ InGaAsN
★ Laser

論文目次

目錄
第一章:簡介..............................................................................1
參考文獻……………………………………………………...7
第二章: 氮砷化銦鎵量子井成長以及最佳化...........10
2.1.1.有機金屬氣相磊晶簡介................................................10
2.1.2.光激發光譜系統簡介....................................................11
2.1.3.二次離子質譜儀簡介....................................................11
2.2.1.氮砷化銦鎵量子井的成長............................................15
2.3.1.氮砷化銦鎵量子井的衰化............................................17
2.3.2. 氮砷化銦鎵量子井光螢激發光譜紅位移原因分析..18
參考文獻…………………………………………………….24
第三章:雷射結構與成長..................................................26
3.1.1.雷射結構製程與量測....................................................26
3.2.1.雷射成長-二次成長法...................................................26
3.2.2.二次成長光激發光譜....................................................30
3.2.3.特徵溫度........................................................................34
3.3.1.鈍化法.......................................……………………….36
3.4.1.鈍化法與二次成長法雷射特性比較………................41
參考文獻…………………………………………………….44
第四章:結論和未來工作..................................................46
參考文獻…………………………………………………….49

參考文獻

1. J. N. Baillageon, K. Y. Cheng, G. E. Hofler, P. J Pearch, and C. Heigh, Appl. Phys. Lett. 60, 2540, (1992).
2. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys, 35, 1273, (1996).
3. M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakasuta, M.C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, M. Okai, IEEE.J. Select. Topics Quantum Electron. 3, 719,(1997).
4. S. Sato, Y. Osawa, T. Saitoh, and I. Fujimura, Electron. Lett. 33, 1386,(1999).
5. S. Sato, S Satoh, IEEE.J. Select. Topics Quantum Electron. 5, 707,(1999).
6. T. Titatani, K. Nakahara, Kondow, and K. Uomi, T. Tantaka, Jpn. J. Appl. Phys, 39, L86, (2000).
7. S. Sato. Jpn. J. Appl. Phys, 39, 3403, (2000).
8. N. Tansu, J.-Y. Yeh and L. J. Mawst, Appl. Phys. Lett. 81, 2523, (2002).
9. H. Wonill, V.Gambin, S. Bank, M. Wistey, H. Yuen,; L. Goddard, S. Kim, J. Harris, Molecular Beam Epitaxy 2002 International Conference on 15-20 Sept. 61, (2002).
10. F. Hohnsdorf, J. Koch, S. Leu, W. Stolze, B. Borchert, and M. Druminski, Eletron. Lett.35 571 (1999).
11. Y. Ikenaga, T. Myyamoto, S. Makino, M. Arai, F. Koyama and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys., 41, 664, (2002).
12. N. Tansu, J. Y. Yeh and L. J. Mawst, Appl.Phys. Lett. 81 2523 (2002).
13. N. Tansu, J. Y. Yeh and L. J. Mawst, Electronics Letters 40 739 (2004).
14. J. S. Wang, R. S Hsiao, G. Lin, K. F. Lin, H. Y. Liu, C. M. Lai, L. Wei, C. Y. Liang, J. Y. Chi, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, D. A. Livshits, J. C. Chen, H. C. Yu and V. M. Ustinov. J. Vac. Sci. Technol. B 26 2663 (2004).
15. T. Takeuchi, Y. L. Chang, M. Leary, D. Mars, Y. K. Song, S. David, RoH, H. C. Luan, L. M. Mantese, A. Tandon, Rosemary Twist, S. Belov, D. Bour and M. Tan, Jpn. J. Appl. Phys, 43, 4A,1260, (2004)
16. T. Ishizuka, Y. Iguchi, T. Yamada, T. Katsuyama, S. Takagishi, M. Murata, J. Hashimoto and A. Ishida, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (2003).
17. Gambin, V,,Wonill Ha, Wistey, M.; Homan Yuen,S. R. Bank, S. M. Kim, J.S. Jr.Harris, Selected Topics in Quantum Electronics, IEEE Journal 8, 795 (2002).
18. G. Y. Plaine. Carl, C. Asplund, P. Sundgren. S. Mogg. Jpn. J. Appl. Phys. 41 1040 (2002).
19. M. Kawaguchui, T. Miyamoto, and Fumio, Koyama. Jpn. J. Appl. Phys, 43, 5262, (2004).
20. P. Sundren, C.Asplund, K.Bakar, and M. Tan. Hammar, Appl. Phys. Lett. 82, 2431, (2003).

指導教授

綦振瀛(Jen-Inn Chyi)

審核日期

2005-7-21

推文