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    類別 日期 題名 作者 檔案
    [電機工程研究所] 期刊論文 2001 RIE gate-recessed (Al0.3Ga0.7)(0.5)In0.5P/InGaAs double doped-channel FETs using CHF3+BCl3 mixing plasma Yang,SC; Chiu,HC; Chien,FT; Chan,YJ; Kuo,JM
    [電機工程研究所] 期刊論文 2001 (AlxGa1-x)(0.5)In0.5P/In0.15Ga0.85As (x = 0, 0.3, 1.0) heterostructure doped-channel FETs for microwave power applications Yang,SC; Chiu,HC; Chan,YJ; Lin,HH; Kuo,JM
    [太空及遙測研究中心] 期刊論文 2003 The application of wavelets correlator for ship wake detection in SAR images Kuo,JM; Chen,KS
    [太空科學研究所 ] 期刊論文 2002 Ship wake detection in synthetic aperture radar images using a combination of a wavelet correlator and Radon transform Kuo,JM; Chen,KS
    [物理研究所] 期刊論文 1993 CRYOGENIC AND HIGH-TEMPERATURE OPERATION OF AL0.52IN0.48P/IN0.2GA0.8AS HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS KUO,JM; CHAN,YJ
    [電機工程研究所] 期刊論文 2006 37-GHz bandwidth monolithically integrated InPHBT/evanescently coupled photodiode Huang,WK; Huang,SC; Chung,HW; Hsin,YM; Shi,JW; Kao,YC; Kuo,JM
    [電機工程研究所] 期刊論文 2000 High Schottky barrier Al0.5In0.5P/InGaAs doped-channel HFETs with superior microwave power performance Chiu,HC; Yang,SC; Chan,YJ; Kuo,JM
    [電機工程研究所] 期刊論文 1995 HIGH-TEMPERATURE PERFORMANCE OF GA0.51IN0.49P/IN0.2GA0.8AS PSEUDOMORPHIC HEMTS WITH WSIX GATES CHAN,YJ; YEH,TJ; KUO,JM
    [電機工程研究所] 期刊論文 1994 IN0.49GA0.15P/IN0.15GA0.85AS HETEROSTRUCTURE PULSED DOPED-CHANNEL FETS CHAN,YJ; YEH,TJ; KUO,JM
    [電機工程研究所] 期刊論文 1994 HIGH-TEMPERATURE PERFORMANCE OF GAINP AND ALINP HEMTS WITH WSIX GATES CHAN,YJ; KUO,JM

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