光電化學蝕刻n-型（100）單晶矽獲得矩陣排列之巨孔洞研究; Photo —Electrochemical etching on the n-type(100) of silicon single crystal to obtain array of macropores

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題名:	光電化學蝕刻n-型（100）單晶矽獲得矩陣排列之巨孔洞研究;Photo —Electrochemical etching on the n-type(100) of silicon single crystal to obtain array of macropores
作者:	蔡志昌;Chih-Chang Chai
貢獻者:	機械工程研究所
關鍵詞:	光電化學;陽極極化;蝕刻;巨孔洞;photo-electrochemical;anodic polarization
日期:	2001-07-11
上傳時間:	2009-09-21 11:36:25 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文以光電化學方法，在n-型（100 ）單晶矽上蝕刻獲得均勻之微米級孔洞。研究方法首先採用直流電陽極動態極化法，在氟化物及氫氧化物溶液中，探討添加劑、照光強度等參數對n-型（100 ）單晶矽的陽極極化曲線的影響，進而在各種蝕刻液中找出最佳蝕刻液參數。研究結果顯示：試片1 在照光環境下，以C 、 D 及F 等蝕刻液中均可得到較快的蝕刻速率。經由陽極動態極化曲線選取特定電位，針對n-型（100 ）單晶矽進行定電位蝕刻，結果顯示孔洞生成速率依序為：C >D >F ，然而比較孔洞內部形態，發現在D 蝕刻液中所得孔洞壁有較平滑且均勻。若以n-型（100 ）單晶矽進行化學預蝕刻出特定圖樣之孔洞，然後進行電化學蝕刻，可獲得矩陣式排列之孔洞。本研究進一步以陽極動態極化及定電位蝕刻方法來探討此一具預蝕孔圖樣之n-型單晶矽，以獲得電化學蝕刻最適當參數條件。
顯示於類別:	[機械工程研究所] 博碩士論文

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