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    題名: 光電化學蝕刻n-型(100)單晶矽獲得矩陣排列之巨孔洞研究;Photo —Electrochemical etching on the n-type(100) of silicon single crystal to obtain array of macropores
    作者: 蔡志昌;Chih-Chang Chai
    貢獻者: 機械工程研究所
    關鍵詞: 光電化學;陽極極化;蝕刻;巨孔洞;photo-electrochemical;anodic polarization
    日期: 2001-07-11
    上傳時間: 2009-09-21 11:36:25 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本論文以光電化學方法,在n-型(100 )單晶矽上蝕刻獲得均勻 之微米級孔洞。研究方法首先採用直流電陽極動態極化法,在氟化物 及氫氧化物溶液中,探討添加劑、照光強度等參數對n-型(100 )單 晶矽的陽極極化曲線的影響,進而在各種蝕刻液中找出最佳蝕刻液參數。 研究結果顯示:試片1 在照光環境下,以C 、 D 及F 等蝕刻液中 均可得到較快的蝕刻速率。 經由陽極動態極化曲線選取特定電位,針對n-型(100 )單晶矽 進行定電位蝕刻,結果顯示孔洞生成速率依序為:C >D >F ,然而 比較孔洞內部形態,發現在D 蝕刻液中所得孔洞壁有較平滑且均勻。 若以n-型(100 )單晶矽進行化學預蝕刻出特定圖樣之孔洞,然 後進行電化學蝕刻,可獲得矩陣式排列之孔洞。 本研究進一步以陽極動態極化及定電位蝕刻方法來探討此一具 預蝕孔圖樣之n-型單晶矽,以獲得電化學蝕刻最適當參數條件。
    顯示於類別:[機械工程研究所] 博碩士論文

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