English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 64745/64745 (100%)
造訪人次 : 20494911      線上人數 : 373
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/2372


    題名: 覆晶構裝之可靠性分析;Reliability analysis of flip chip package
    作者: 李佳賢;Jia-Shan Lee
    貢獻者: 機械工程研究所
    關鍵詞: 覆晶;電流集中;flip chip
    日期: 2004-06-25
    上傳時間: 2009-09-21 11:45:06 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 摘要 隨著半導體產業技術的日新月異,半導體元件的尺寸越趨輕薄短小,使得元件的可靠性受到更嚴苛的挑戰,以往關於覆晶構裝之研究大多是關於熱應力與疲勞壽命之探討,然而隨著凸塊的尺寸變小,覆晶結構承受極大的電流密度與電場強度,使得電流集中造成的電致遷移現象成為影響覆晶可靠性的重要因素,採用不同幾何形狀的凸塊可以改變電流密度的最大值與電流集中現象,其中球形凸塊的電流容易集中在凸塊與鋁墊、銅墊的交界處,但是最大電流密度分佈的範圍較小;圓柱形凸塊之電流分佈最為均勻,而沙漏形凸塊則可以使得凸塊與鋁墊、銅墊交界處不再發生電流集中,電流集中現象與幾何形狀息息相關。 As the IC manufacturing technology improved,the electronic devices become small and light . Because the volume of the bump decreases,it suffers high current density and electrical field . The electromigration due to current crowding can not be ignored . Different bump shapes have different current density distribution and affect the current crowding position. For solving the electromigration caused by current density, investigating the relation between bump shape and current distribution is needed.
    顯示於類別:[機械工程研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數
    0KbUnknown647檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋  - 隱私權政策聲明