摻雜氧化鎂於化學劑量鈮酸鋰晶體之晶纖生長; MgO:SLN Crystal Growth by LHPG

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題名:	摻雜氧化鎂於化學劑量鈮酸鋰晶體之晶纖生長;MgO:SLN Crystal Growth by LHPG
作者:	林昌期;Chung-Chi Lin
貢獻者:	機械工程研究所
關鍵詞:	鈮酸鋰;晶體生長;Crystal growth;SLN
日期:	2005-05-02
上傳時間:	2009-09-21 11:46:37 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	摘要在光電產業中，單晶(single crystal)因其非線性、壓電、熱電、光電係數及光折特性，使其扮演著舉足輕重的腳色，但是現有的材料特性逐漸無法滿足工商社會的需求，所以藉由材料製程改善，後製程(post-process)處理，乃至於添加不同元素於母材都能有效地改善晶體性質。因鈮酸鋰(LiNbO3,LN)晶體之光損傷閥值(optical damage threshold)不夠高，導致較高功率密度的光打入晶體時產生光損傷(optical damage)而使其性能降低；另因折射率的不均質性，影響其在光學儲存影像之品質。有鑑於此，摻雜不同元素於鈮酸鋰中也陸續被研究，本實驗是利用雷射加熱基座生長法(Laser-Heated Pedestal Growth),生長不同含量氧化鎂之化學劑量組成(stoichiometric)鈮酸鋰晶纖，利用氧化鎂可增強其晶體本身抗光損傷的能力、縮短光儲存的響應時間與改善因折射率不均而造成光散射所導致的光畸變，可使其整個光折效應獲得相當的提升,擴大晶體在倍頻,Q開關,電光調制與光波導等領域的應用。此實驗結合精密陶瓷製作與材料合成，利用晶纖能快速生長的特性，並進行多項光學與定性定量的檢測分析,對於摻雜氧化鎂後,鎂離子偏析現象與光折變能量變化進行探討,迅速了解新材料特性，不僅可以做成商業化塊晶生長之參考，以及測試晶體之來源，更可經由對晶體基本性質之了解，推廣開發新的應用技術，以符合各種要求。 MgO:SLN Crystal Growth by LHPG
顯示於類別:	[機械工程研究所] 博碩士論文

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