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    題名: 利用微波電漿化學氣相沉積法成長多壁奈米碳管及其電性之研究
    作者: 劉展良;Zhan-Liang Liu
    貢獻者: 機械工程研究所
    關鍵詞: 內連線;奈米碳管;interconnect;carbon nanotube
    日期: 2005-06-17
    上傳時間: 2009-09-21 11:48:40 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 摘 要 本論文主要利用IC圖案化製程,製作金屬內連線引洞(Vias)的結構再使用微波電漿化學氣相沉積(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition, MPCVD),以Ta的良好特性當作催化劑Ni的阻障層及上下電極,成長多壁奈米碳管(Multi-wall Carbon Nanotube, MWCNT)來當做積體電路中內連線的材料。 本實驗配合掃描式電子顯微鏡(SEM)、拉曼光譜儀(Raman Spectroscopy)和I-V量測儀,探討在基板400oC下不同製程參數對 奈米碳管的型態及電性的影響。結果發現在不同前處理電漿功率與不同前處理時間的參數中,當前處理電漿功率越大、前處理時間越長,奈米碳管的直徑會減小、密度會增大,結構的電阻值會降低。在不同成長電漿功率的參數中,奈米碳管的石墨化程度隨著成長電漿功率的增加而上升,結構的電阻值也因奈米碳管石墨化程度越好而下降。而在不同甲烷流量比例的參數中,15%的甲烷流量比例擁有最好的石墨化程度,以及最低的結構電阻值。實驗中還利用不同的溫度量測奈米碳管的電性,探討溫度對奈米碳管電性的影響,結果觀察到奈米碳管的電阻會隨著溫度下降而增加。最後以Ta和TiN做為阻障層探討奈米碳管的型態,發現利用Ta為阻障層,成長奈米碳管,其直徑會較TiN阻障層來的小。
    顯示於類別:[機械工程研究所] 博碩士論文

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