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    題名: 單原子摻雜隱藏層對層狀結構半導體光學特性的影響;The Influence of Doped Buried Layer on the Optical Properties of Multilayer Semiconductors
    作者: 徐子民
    貢獻者: 物理學系
    關鍵詞: 分子束磊晶法;光子調制反射光譜;層狀結構半導體;Molecular beam epitaxy;Photoreflectance;Multilayer semiconductors;物理類
    日期: 1993-07-01
    上傳時間: 2010-05-27 17:29:57 (UTC+8)
    出版者: 行政院國家科學委員會
    摘要: 在分子束磊晶法成長之砷化鎵,或砷化鎵/砷化 鋁鎵層狀結構中隱藏一層單原子雜質( .delta. doped )會在半導體表面造成均勻之內建電場.本計畫擬 研究此內建電場對各式量子井的光學特性.在實 驗方面,我們合併光子調制反射光譜(PR)和微分光 子調制反射光譜(DPR)觀察半導體內部各層之光譜 訊號.在理論方面,我們利用Self-consistent Calculation 和Effective MassApproximation分析層狀結構及其能階 躍遷.研究期間：8108 ~ 8207
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[物理學系] 研究計畫

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