單原子摻雜隱藏層對層狀結構半導體光學特性的影響; The Influence of Doped Buried Layer on the Optical Properties of Multilayer Semiconductors

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題名:	單原子摻雜隱藏層對層狀結構半導體光學特性的影響;The Influence of Doped Buried Layer on the Optical Properties of Multilayer Semiconductors
作者:	徐子民
貢獻者:	物理學系
關鍵詞:	分子束磊晶法;光子調制反射光譜;層狀結構半導體;Molecular beam epitaxy;Photoreflectance;Multilayer semiconductors;物理類
日期:	1993-07-01
上傳時間:	2010-05-27 17:29:57 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	在分子束磊晶法成長之砷化鎵,或砷化鎵/砷化鋁鎵層狀結構中隱藏一層單原子雜質( .delta. doped )會在半導體表面造成均勻之內建電場.本計畫擬研究此內建電場對各式量子井的光學特性.在實驗方面,我們合併光子調制反射光譜(PR)和微分光子調制反射光譜(DPR)觀察半導體內部各層之光譜訊號.在理論方面,我們利用Self-consistent Calculation 和Effective MassApproximation分析層狀結構及其能階躍遷.研究期間：8108 ~ 8207
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[物理學系] 研究計畫

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