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    題名: 奈米碳管控制成長之方法研究;Study for the controlled growth of carbon nanotubes
    作者: 蘇清源;Ching-Yuan Su
    貢獻者: 機械工程研究所
    關鍵詞: 控制成長;電漿鞘層;場發射;方向性;舉離法;奈米碳管;plasma sheath;lift off method;CNT;controlled growth;carbon nanotube;orientation;field emission
    日期: 2005-06-17
    上傳時間: 2009-09-21 11:49:13 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 奈米碳管於1991年發現以來,已經被證實具有多種獨特的材料性質,因此也被應用在許多的領域,然而如何控制奈米碳管之定位、定向及定量的成長,至今仍是奈米碳管於實際應用上的一個瓶頸。回顧過去文獻,已經有許多控制成長的方法被提出,但仍然無法提供一高良率且製程簡易之方法。因此探討奈米碳管控制成長之方法及其機制,是本論文的研究主題。 本論文提出三種定位成長奈米碳管的方法 : (1)引洞成長(CNTs growth in holes) (2)旋塗催化微粒(spin-on iron catalysts) (3)舉離法(lift-off method)。並以thermal CVD及MPCVD成長奈米碳管,探討電漿功率、成長溫度及碳源比例等參數,對奈米碳管結構及定位成長之影響。由實驗結果分析,引洞成長奈米碳管並以電子束鄰近效應縮小孔徑至0.1μm,可提高孔洞內成長單根奈米碳管之良率。此外,比較三種定位成長奈米碳管的方法,以舉離法可以定位成長高準直性且良率較高之單根奈米碳管。 而在定向成長奈米碳管的研究上,利用MPCVD之電漿鞘層所產生的自我偏壓,形成一個方向性的電場,而此電場主宰著奈米碳管成長的方向,利用此一機制可以控制奈米碳管具有方向性之成長。此外,經由實驗結果分析,在MPCVD成長奈米碳管的實驗,增加微波電漿功率可使奈米碳管的準直性及石墨化程度提高,並有較佳之場發射特性。 !!
    顯示於類別:[機械工程研究所] 博碩士論文

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