分子束磊晶成長光電元件; Molecular Beam Epitaxial Growth of Optoelectronic Devices

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题名:	分子束磊晶成長光電元件;Molecular Beam Epitaxial Growth of Optoelectronic Devices
作者:	綦振瀛
贡献者:	電機工程學系
关键词:	光電工程
日期:	1994-01-01
上传时间:	2010-05-28 10:26:29 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	砷化銦鋁鎵之能隙涵蓋0.76eV到1.46eV(在與InP晶格匹配的狀況下).若是考慮應變結構則變化範圍更大.這項特點使其成為一多才多藝的材料,並且成為一未來高性能光電元件的重要選擇.然而目前為止,這項材料的相關研究並不眾多.本計畫的主要目標即是利用本校新購置的分子束磊晶系統來發展高品質InAlGaAs磊晶.我們將利用各種不同的方法來分析所成長的材料,包括霍爾效應,X光繞射 ,光激光,電容-壓分析,光電壓,紅外線光譜,及橢圓儀.所以磊晶層的電氣,結構及光學特性均將作完整的研究.最後,我們將製作InAlGaAs/AlGaAs單量子井雷射並予以詳細分析.研究期間：8202 ~ 8301
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
显示于类别:	[電機工程學系] 研究計畫

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