English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 69937/69937 (100%)
Visitors : 23101736      Online Users : 752
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/25267


    Title: 多孔矽發光二極體之研製;Fabrication and Characterization of Porous Silicon Light-Emitting Diodes
    Authors: 洪志旺;綦振瀛
    Contributors: 電機工程學系
    Keywords: 多孔矽;發光二極體;Porous silicon;Light-emitting diode;光電工程
    Date: 1994-01-01
    Issue Date: 2010-05-28 10:26:32 (UTC+8)
    Publisher: 行政院國家科學委員會
    Abstract: 多孔矽材料的研究在近幾年來相當受重視.在 其物理特性方面,大部份認為具有量子侷限作用, 而由原來非直接能隙之矽晶轉成直接能隙之多孔 矽材料,進而在傳統矽晶無法達到之發光特性上 有重大突破.本計畫擬藉多孔矽材料量子侷限作用,可發出可 見光的特性研製多孔矽發光二極體.首先研製適 合於發光元件之多孔矽材料,接著於製備完成的 多孔矽材料上蒸鍍各種導電金屬膜形成蕭特基接 面,在接面兩端加上直流或交流電壓時應可發出 可見光.第二階段擬研製歐姆接觸式發光二極體.首先在 多孔矽材料上沉積摻雜的N型或P型非晶矽,或微晶 矽薄膜作為歐姆接觸層,再於其上鍍金屬電極完 成元件之製作.由此,可藉由電子或電洞之注入及 複合而發光.由於非晶矽或微晶矽的能隙較小,發 射出來的光部份會被該層吸收,所以除用非晶矽 或微晶矽材料外本計畫亦擬利用非晶碳化矽或微 晶碳化矽作為歐姆接觸層材料.研究期間:8202 ~ 8301
    Relation: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    Appears in Collections:[電機工程學系] 研究計畫

    Files in This Item:

    File Description SizeFormat
    index.html0KbHTML420View/Open


    All items in NCUIR are protected by copyright, with all rights reserved.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback  - 隱私權政策聲明