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    題名: 多孔矽發光二極體之研製;Fabrication and Characterization of Porous Silicon Light-Emitting Diodes
    作者: 洪志旺;綦振瀛
    貢獻者: 電機工程學系
    關鍵詞: 多孔矽;發光二極體;Porous silicon;Light-emitting diode;光電工程
    日期: 1994-01-01
    上傳時間: 2010-05-28 10:26:32 (UTC+8)
    出版者: 行政院國家科學委員會
    摘要: 多孔矽材料的研究在近幾年來相當受重視.在 其物理特性方面,大部份認為具有量子侷限作用, 而由原來非直接能隙之矽晶轉成直接能隙之多孔 矽材料,進而在傳統矽晶無法達到之發光特性上 有重大突破.本計畫擬藉多孔矽材料量子侷限作用,可發出可 見光的特性研製多孔矽發光二極體.首先研製適 合於發光元件之多孔矽材料,接著於製備完成的 多孔矽材料上蒸鍍各種導電金屬膜形成蕭特基接 面,在接面兩端加上直流或交流電壓時應可發出 可見光.第二階段擬研製歐姆接觸式發光二極體.首先在 多孔矽材料上沉積摻雜的N型或P型非晶矽,或微晶 矽薄膜作為歐姆接觸層,再於其上鍍金屬電極完 成元件之製作.由此,可藉由電子或電洞之注入及 複合而發光.由於非晶矽或微晶矽的能隙較小,發 射出來的光部份會被該層吸收,所以除用非晶矽 或微晶矽材料外本計畫亦擬利用非晶碳化矽或微 晶碳化矽作為歐姆接觸層材料.研究期間:8202 ~ 8301
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[電機工程學系] 研究計畫

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