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    题名: Defect study on the strain-relaxed InxAl1-xAs epilayers (x<0.4) grown on GaAs
    作者: Shieh,JL;Chang,MN;Cheng,YS;Chyi,JI
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: DEEP LEVELS
    日期: 1997
    上传时间: 2010-06-29 20:21:11 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Defects in Si-doped InxAl1-xAs (0<x<0.4) epilayers on GaAs substrates were systematically investigated by deep-level transient spectroscopy. Three electron traps, ranging from 0.22 to 0.89 eV, were observed in the MBE-grown InxAl1-xAs. Low-temperature growth as well as thermal annealing were found to be capable of reducing these defects effectively, especially the dislocation defect.
    關聯: COMPOUND SEMICONDUCTORS 1996
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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