Monolithic microwave AlGaAs/InGaAs doped-channel FET switches

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题名:	Monolithic microwave AlGaAs/InGaAs doped-channel FET switches
作者:	Ke,LW;Chan,YJ;Chiang,YC
贡献者:	電機工程研究所
日期:	1996
上传时间:	2010-06-29 20:22:31 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	AlGaAs / InCaAs heterostructure doped-channel FETs were used to fabricate a monolithic microwave front-end switch. The gate width of FETs were characterized to obtain an optimum condition to achieve better microwave performance. An insertion loss lower than 1 dB together with an isolation higher than 20 dB can be realized in this monolithic switch at a frequency below 3 GHz. (C) 1996 John Wiley & Sons, Inc.
關聯:	MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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