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    題名: Monolithic microwave AlGaAs/InGaAs doped-channel FET switches
    作者: Ke,LW;Chan,YJ;Chiang,YC
    貢獻者: 電機工程研究所
    日期: 1996
    上傳時間: 2010-06-29 20:22:31 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: AlGaAs / InCaAs heterostructure doped-channel FETs were used to fabricate a monolithic microwave front-end switch. The gate width of FETs were characterized to obtain an optimum condition to achieve better microwave performance. An insertion loss lower than 1 dB together with an isolation higher than 20 dB can be realized in this monolithic switch at a frequency below 3 GHz. (C) 1996 John Wiley & Sons, Inc.
    關聯: MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

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