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    题名: ENHANCEMENT AND DEPLETION-MODE ALGAAS/IN0.15GA0.85AS HEMTS FABRICATED BY SELECTIVE ION-IMPLANTATION
    作者: CHAN,YJ;YANG,MT
    贡献者: 電機工程研究所
    日期: 1993
    上传时间: 2010-06-29 20:24:56 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Enhancement- and depletion-mode AlGaAs/In0.15Ga0.85As HEMTs were fabricated on the same wafer by the selective ion implantation technique. This implantation results in extra carriers in the area of D-HEMTs, and therefore E- and D-HEMTs can be realised simultaneously after a single gate lithography step. As compared with the conventional approach, this selective ion implantation provides a convenient method for implementing the E/D-mode logic circuits for high-speed and low-power applications.
    關聯: ELECTRONICS LETTERS
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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