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    题名: HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON-CARBIDE THIN-FILM LIGHT-EMITTING DIODE WITH QUANTUM-WELL-INJECTION STRUCTURE
    作者: JEN,TS;CHEN,JY;SHIN,NF;HONG,JW;CHANG,CY
    贡献者: 電機工程研究所
    日期: 1993
    上传时间: 2010-06-29 20:25:00 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: To improve the electroluminescence (EL) intensity of the hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC:H) pin thin-film light-emitting diode (TFLED), a quantum-well-injection (QWI) structure has been incorporated into the i-layer of an a-SiC:H pin TFLED at the p-i interface. The obtained brightness of this QWI TFLED is 256 cd/m2 at an injection current density of 800 mA/cm2, which is about three orders of magnitude higher than the brightness of an a-SiC:H pin TFLED. Also, a comparatively lower EL threshold voltage of 6 V was observed for this a-SiC:H QWI TFLED.
    關聯: ELECTRONICS LETTERS
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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