Enhanced growth of CoSi2 thin films on (001)Si with Co/Au/Co sandwich structures

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題名:	Enhanced growth of CoSi2 thin films on (001)Si with Co/Au/Co sandwich structures
作者:	Cheng,S. L.;Chen,H. Y.
貢獻者:	材料科學與工程研究所
關鍵詞:	LOW-TEMPERATURE FORMATION;TI-CAPPING LAYER;SILICIDE FORMATION;NI-SILICIDE;AU;PHASE;NUCLEATION;MECHANISMS;INTERLAYER;TITANIUM
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-06 15:57:48 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Formation of cobalt silicides in the Co/Au/Co trilayer films on (001)Si substrate after different heat treatments has been investigated. The nucleation temperature of low-resistivity CoSi2 phase in the Co/Au/Co/(001)Si samples was found to be lowered by a
關聯:	JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS
顯示於類別:	[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文

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