Modified growth of Ge quantum dots using C2H4 mediation by ultra-high vacuum chemical vapor deposition

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題名:	Modified growth of Ge quantum dots using C2H4 mediation by ultra-high vacuum chemical vapor deposition
作者:	Lee,S. W.;Chen,P. S.;Cheng,S. L.;Lee,M. H.;Chang,H. T.;Lee,C. -H.;Liu,C. W.
貢獻者:	材料科學與工程研究所
關鍵詞:	SI(001);NANOCRYSTALS;SURFACE;EPITAXY
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-06 15:57:57 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	C2H4 mediations were used to modify the Stranski-Krastanow growth mode of Ge dots on Si(0 0 1) at 550 degrees C by ultra-high vacuum chemical vapor deposition. With appropriate C2H4-mediation to modify the Si surface, the elongated Ge hut clusters can be
關聯:	APPLIED SURFACE SCIENCE
顯示於類別:	[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文

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