Ag/Au diffusion wafer bonding for thin-GaN LED fabrication

NCU Institutional Repository > 工學院 > 材料科學與工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/29796

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/29796

題名:	Ag/Au diffusion wafer bonding for thin-GaN LED fabrication
作者:	Chang,C. L.;Chuang,Y. C.;Liu,C. Y.
貢獻者:	材料科學與工程研究所
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-06 15:58:15 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this study we successfully demonstrate a method for Ag/Au diffusion wafer bonding. We were able to achieve a high-meltingpoint bonding interface at a relatively low bonding temperature of 150 C. The Ag/Au interdiffusion coefficient is defined against t
關聯:	ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
顯示於類別:	[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	522	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing