High thermally stable Ni/Ag(Al) alloy contacts on p-GaN

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題名:	High thermally stable Ni/Ag(Al) alloy contacts on p-GaN
作者:	Chou,C. H.;Lin,C. L.;Chuang,Y. C.;Bor,H. Y.;Liu,C. Y.
貢獻者:	材料科學與工程研究所
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES;OHMIC CONTACT;STABILITY
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-06 15:58:40 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Ag agglomeration was found to occur at Ni/Ag to p-GaN contacts after annealing at 500 degrees C. This Ag agglomeration led to the poor thermal stability showed by the Ni/Ag contacts in relation to the reflectivity and electrical properties. However, after
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文

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