Light enhancement by the formation of an Al oxide honeycomb nanostructure on the n-GaN surface of thin-GaN light-emitting diodes

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題名:	Light enhancement by the formation of an Al oxide honeycomb nanostructure on the n-GaN surface of thin-GaN light-emitting diodes
作者:	Lin,C. L.;Chen,P. H.;Chan,Chia-Hua;Lee,C. C.;Chen,Chii-Chang;Chang,Jeng-Yang;Liu,C. Y.
貢獻者:	材料科學與工程研究所
關鍵詞:	P-GAN;EXTRACTION;OUTPUT
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-06 15:58:45 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	By using a micron polystyrene ball array as a template, an Al oxide honeycomb structure was produced on the n-GaN surface of a thin-GaN light-emitting diode (LED). The Al oxide honeycomb structure consists of the networking hexagonal Al oxide nanowall. Wi
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文

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