Concentration effect of HF on energy band diagram for n-Si(100)/HF photoelectrochemical etching system

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題名:	Concentration effect of HF on energy band diagram for n-Si(100)/HF photoelectrochemical etching system
作者:	Jehng,WD;Lin,JC;Lee,SL
貢獻者:	機械工程研究所
關鍵詞:	N-TYPE SILICON;POROUS SILICON;FORMATION MECHANISM;OPTICAL-PROPERTIES;LIGHT-EMISSION;PHOTOLUMINESCENCE;MICROSTRUCTURE;FABRICATION;LAYERS;MODEL
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 16:25:20 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The aim of this work was to build a thermodynamic energy band diagram for the system of n-type Si(100)/HF that is in dynamic equilibrium at the interface. The construction concept was based on the shift of energy levels such as Fermi energy (E-F), conduct
關聯:	JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
顯示於類別:	[機械工程研究所] 期刊論文

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