English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 64745/64745 (100%)
造訪人次 : 20451905      線上人數 : 377
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/3119


    題名: 利用CBD法製備銅摻雜之硫系列光觸媒材料研究;The Synthesis of Cu-Doped Photocatalyst Materials by Chemical Bath Deposition
    作者: 郭俊麟;Chun-Lin Kuo
    貢獻者: 機械工程研究所
    關鍵詞: 薄膜;光觸媒;化學水浴法;Chemical Bath Deposition;Photocatalyst;CBD;Thin film
    日期: 2008-07-16
    上傳時間: 2009-09-21 12:05:27 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本研究利用化學水浴法(Chemical Bath Deposition; CBD)進行可見光光觸媒薄膜之製備,以ITO(Indium–Tin-Oxide)導電玻璃為基材,利用此種製程於基材表面先形成一層AgInS光觸媒薄膜,再利用氯化銅進行銅金屬摻雜。而本研究著重於提升半導體薄膜的光敏化效果,試著改變反應溶液pH值與反應時間之鍍膜參數,並將試片置於真空管狀爐中以300 oC燒結1小時。材料分析部分以X-ray繞射儀(XRD)判別薄膜的晶型結構,利用掃描式電子顯微鏡(SEM)來觀察薄膜表面形貌與元素之半定量分析;並利用電化學量測儀以三極式之方式量測光電流,探討光觸媒的成分組成對光電流之影響。 The visible-active Photocatalyst thin film of AgInS was deposition on ITO glass and doping Cu by CuCl2 solution by chemical bath deposition (CBD). The research conditions was change the ph value and reaction time and anneal time of the reaction solution and elevation photo-active of the photocatalyst. The material structure analysis by XRD and element analysis by scanning electron microscope (SEM) ;The photocurrent measurement by potentiostat and discussion the element compose by photocurrent effect of photocatalyst.
    顯示於類別:[機械工程研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數
    0KbUnknown787檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋  - 隱私權政策聲明