Light output improvement of InGaN ultraviolet light-emitting diodes by using wet-etched stripe-patterned sapphire substrates

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题名:	Light output improvement of InGaN ultraviolet light-emitting diodes by using wet-etched stripe-patterned sapphire substrates
作者:	Pan,Chang-Chi;Hsieh,Chi-Hsun;Lin,Chih-Wei;Chyi,Jen-Inn
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	VAPOR-PHASE EPITAXY;EXTERNAL-QUANTUM EFFICIENCY;LATERAL OVERGROWTH;GAN;GROWTH;POWER;BLUE
日期:	2007
上传时间:	2010-07-06 18:17:50 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	GaN-based epilayers are grown on wet-etched stripe-patterned sapphire substrates, with stripes along the < 11-20 >(sapphire) and < 1-100 >(sapphire) directions, for 400 nm ultraviolet light-emitting diodes (LEDs). The effects of the etching depth and stri
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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