Tunneling current through a single germanium quantum dot

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32365

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32365

题名:	Tunneling current through a single germanium quantum dot
作者:	Kuo,DMT;Li,PW
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	SIGE/SI-ON-INSULATOR;ELECTRON TRANSISTOR;ROOM-TEMPERATURE;SELECTIVE OXIDATION;OSCILLATIONS;TRANSPORT;ENERGY
日期:	2005
上传时间:	2010-07-06 18:25:15 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The tunneling current through a germanium quantum dot (Ge QD) of nanometer size is studied theoretically. The energy levels and Coulomb interactions of electrons in a Ge QD are calculated using an effective mass model. In small Ge QDs, the interlevel Coul
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	347	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing