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    題名: Design and analysis of separate-absorption-transport-charge-multiplication traveling-wave avalanche photodetectors
    作者: Shi,JW;Liu,YH;Liu,CW
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: GAIN-BANDWIDTH PRODUCT;MU-M OPERATION;HIGH-SPEED;HIGH-POWER;1.3-MU-M OPERATION;FREQUENCY-RESPONSE;PHOTODIODES;PERFORMANCES;LAYER;SIGE
    日期: 2004
    上傳時間: 2010-07-06 18:26:08 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: This paper proposes a novel type of avalanche photodiode-the separate-absorption-transport-charge-multiplication (SATCM) avalanche photodiode (APD). The novel design of photoabsorption and multiplication layers of APDs can avoid the photoabsorption layer
    關聯: JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

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