Improved quality-factor of 0.18-mu m CMOS active inductor by a feedback resistance design

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題名:	Improved quality-factor of 0.18-mu m CMOS active inductor by a feedback resistance design
作者:	Hsiao,CC;Kuo,CW;Ho,CC;Chan,YJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	TECHNOLOGY
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-06 18:31:32 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A novel CMOS active inductor approach, which can improve the quality-factor, was presented in this report. A cascode-grounded active inductor circuit topology with a feedback resistance was proposed, which can substantially improve its equivalent inductan
關聯:	IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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