Matrix dependence of strain-induced wavelength shift in self-assembled InAs quantum-dot heterostructures

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题名:	Matrix dependence of strain-induced wavelength shift in self-assembled InAs quantum-dot heterostructures
作者:	Yeh,NT;Nee,TE;Chyi,JI;Hsu,TM;Huang,CC
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	1.3 MU-M;GAAS
日期:	2000
上传时间:	2010-07-06 18:35:54 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report on the matrix-dependent strain effect in self-assembled InAs quantum-dot heterostructures using photoluminescence measurements. A series of samples were prepared to examine the effect of quantum dot position with respect to the so-called strain-
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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