Diode-pumped, actively internal-Q-switched Nd : MgO : PPLN laser

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題名:	Diode-pumped, actively internal-Q-switched Nd : MgO : PPLN laser
作者:	Chen,Y. H.;Chang,Y. C.;Lin,C. H.;Chung,T. Y.
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	CRYSTAL;ND-YVO4;LINBO3;DEVICES
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-07 14:06:11 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We demonstrated a laser-diode-pumped, electro-optically internal-Q-switched laser system radiating at 1.085 mu m fabricated using a periodically poled Nd:MgO:LiNbO3 (Nd:MgO:PPLN) crystal. The Nd: MgO: PPLN is 17-mm long and has a 12-mm long, 13.6-mu m per
關聯:	OPTICS EXPRESS????
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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