GaN-based Indium-tin-oxide light emitting diodes with nanostructured silicon upper contacts

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題名:	GaN-based Indium-tin-oxide light emitting diodes with nanostructured silicon upper contacts
作者:	Kuo,C. H.;Chang,S. J.;Kuan,H.
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	FIELD-EFFECT TRANSISTOR;INGAN-GAN;PERFORMANCE;LEDS;BLUE;ITO
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-07 14:08:19 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	GaN-based indium-tin-oxide (ITO) light emitting diodes (LEDs) with p-GaN, n(+)-short period superlattice (SPS) and nanostructured silicon contact layers were fabricated. It was found that surface of the ITO LED with nanostructured silicon layer was very r
關聯:	IET OPTOELECTRONICS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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