Nitride-based near-ultraviolet light emitting diodes with meshed p-GaN

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題名:	Nitride-based near-ultraviolet light emitting diodes with meshed p-GaN
作者:	Kuo,C. H.;Feng,H. C.;Kuo,C. W.;Chen,C. M.;Wu,L. W.;Chi,G. C.
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	ITO TRANSPARENT CONTACT;EXTRACTION EFFICIENCY;SAPPHIRE SUBSTRATE;SURFACE;LEDS
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-07 14:08:42 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	This investigation presents nitride-based near ultraviolet light emitting diodes (LEDs) with a meshed p-GaN layer. With 20 mA injection current, it was found that forward voltages were 3.33 and 3.39 V while output powers were 9.0 and 10.6 mW for the meshe
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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