Schottky mechanism for Ni/Au contact with chlorine-treated n-type GaN layer

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題名:	Schottky mechanism for Ni/Au contact with chlorine-treated n-type GaN layer
作者:	Chen,Po-Sung;Lee,Tsung-Hsin;Lai,Li-Wen;Lee,Ching-Ting
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES;P-TYPE GAN;THERMAL-STABILITY;OXIDATION;GROWTH
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-07 14:09:05 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	To investigate the function of chlorination treatment, Schottky diodes with Ni/Au contact and chlorine-treated n-type GaN were fabricated. The resultant Schottky barrier height and ideality factor of the chlorine-treated Schottky diodes were improved. The
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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