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    題名: Growth of single-phase In2Se3 by using metal organic chemical vapor deposition with dual-source precursors
    作者: Chang,K. J.;Lahn,S. M.;Chang,J. Y.
    貢獻者: 光電科學與工程學系
    關鍵詞: MOLECULAR-BEAM EPITAXY;FILM SOLAR-CELLS;INDIUM SELENIDE;THIN-FILMS;OPTICAL-PROPERTIES;LAYER
    日期: 2006
    上傳時間: 2010-07-07 14:10:08 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Single-phase gamma-In2Se3 thin films have been prepared by the metal organic chemical vapor deposition technique using dual-source precursors, trimethylindium, and hydrogen selenide to obtain a different VI/III ratio by independent adjustment of the precu
    關聯: APPLIED PHYSICS LETTERS
    顯示於類別:[光電科學與工程學系] 期刊論文

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