Rapid thermal annealed InGaN/GaN flip-chip LEDs

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題名:	Rapid thermal annealed InGaN/GaN flip-chip LEDs
作者:	Chen WS;Shei SC;Chang SJ;Su YK;Lai WC;Kuo CH;Lin YC;Chang CS;Ko TK;Hsu YP;Shen CF
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES;NITRIDE-BASED LEDS;P-TYPE GAN;OHMIC CONTACTS;LOW-RESISTANCE;BLUE;ITO;EFFICIENCY;GREEN
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-07 14:10:52 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Nitride-based flip-chip (FC) light-emitting diodes (LEDs) emitting at 465 nm with Ni transparent ohmic contact layers and Ag reflective mirrors were fabricated. With an incident light wavelength of 465 nm, it was found that transmittance of normalized 300
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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