ICP etching of sapphire substrates

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題名:	ICP etching of sapphire substrates
作者:	Hsu,YP;Chang,SJ;Su,YK;Sheu,JK;Kuo,CH;Chang,CS;Shei,SC
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES;LEDS;GAN
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-07 14:11:34 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The etching behavior of sapphire has been investigated in an inductively couple plasma using Cl-2, BCl3 and CH2Cl2 as the reagent in this study. Inductively couple plasma etching rate of sapphire was investigated as function of a mixing gases ratio. The h
關聯:	OPTICAL MATERIALS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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