Nitride-based LEDs with ITO on nanostructured silicon contact layers

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题名:	Nitride-based LEDs with ITO on nanostructured silicon contact layers
作者:	Kuo,CH;Chang,SJ;Chen,SC
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	LIGHT-EMITTING-DIODES;TUNNELING CONTACT;GAN
日期:	2005
上传时间:	2010-07-07 14:11:57 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Nitride-based light-emitting diodes (LEDs) with indium-tin-oxide (ITO) on p-GaN, ITO on n(+)-short-period superlattice (SPS) and ITO on nanostructured silicon contact layers were fabricated. It was found that surface of the nanostructured silicon layer wa
關聯:	JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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