English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 40888895      線上人數 : 1246
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35363


    題名: Nitride-based light-emitting diodes with p-AlInGaN surface layers
    作者: Kuo,CH;Lin,CC;Chang,SJ;Hsu,YP;Tsai,JM;Lai,WC;Wang,PT
    貢獻者: 光電科學與工程學系
    關鍵詞: QUATERNARY EPILAYERS;O-2 AMBIENT;GAN;TEMPERATURE;INGAN;EFFICIENCY;LEDS
    日期: 2005
    上傳時間: 2010-07-07 14:11:59 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: We have prepared bulk p-AlInGaN layers and light-emitting diodes (LEDs) with p-AlInGaN surface layers by metal-organic chemical vapor deposition. By properly control the TNIAI and TMIn flow rates, we could match the lattice constant of p-AlInGaN to that o
    關聯: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
    顯示於類別:[光電科學與工程學系] 期刊論文

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML623檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明