Microstructure, electrical, and optical properties of evaporated PtSi/p-Si(100) Schottky barriers as high quantum efficient infrared detectors

NCU Institutional Repository > 理學院 > 光電科學與工程學系 > 期刊論文 > Item 987654321/35393

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35393

題名:	Microstructure, electrical, and optical properties of evaporated PtSi/p-Si(100) Schottky barriers as high quantum efficient infrared detectors
作者:	Wu,HH;Chang,RS;Horng,GH
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	SILICON;DIODES
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-07 14:13:09 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The effects of the microstructure and the electrical and optical properties on the formation at highly efficient infrared PtSi Schottky barrier detectors (SBD) have been studied in detail. Two- to twelve-nanometer-thick PtSi filins were grown by evaporati
關聯:	THIN SOLID FILMS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	416	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing