Ultra-high-density InGaN quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition

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題名:	Ultra-high-density InGaN quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition
作者:	Tu,RC;Tun,CJ;Chuo,CC;Lee,BC;Tsai,CE;Wang,TC;Chi,J;Lee,CP;Chi,GC
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;LIGHT-EMITTING-DIODES;GAN;IMPROVEMENT;TEMPERATURE;SURFACES;LAYER
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-07 14:13:45 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	This study examined how the duration of SiNx treatment on an underlying GaN layer affects the optical property, surface morphology and density of following InGaN quantum dots (QDs). InGaN QDs with extremely high density of near 3 x 10(11) cm(-2) exhibited
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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