Improvement of InGaN/GaN laser diodes by using a Si-doped In0.23Ga0.77N/GaN short-period superlattice tunneling contact layer

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題名:	Improvement of InGaN/GaN laser diodes by using a Si-doped In0.23Ga0.77N/GaN short-period superlattice tunneling contact layer
作者:	Tu,RC;Tun,CJ;Shen,JK;Kuo,WH;Wang,TC;Tsai,CE;Hsu,JT;Chi,J;Chi,GC
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-07 14:14:25 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	InGaN/GaN multiple-quantum-well laser diode (LD) structures, including a Si-doped n(+)-In0.23Ga0.77N/GaN short-period superlattice (SPS) tunneling contact layer, were grown on c-face sapphire substrate by metalorganic vapor-phase epitaxy. The In0.23Ga0.77
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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