Investigation of accumulated carrier mechanism on sulfurated GaN layers

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題名:	Investigation of accumulated carrier mechanism on sulfurated GaN layers
作者:	Lin,YJ;Lee,CS;Lee,CT
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	N-TYPE GAN;OHMIC CONTACT FORMATION;TI/AL CONTACTS
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-07 14:14:37 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We study the induced electron concentration accumulated on the sulfurated layer of the (NH4)(2)S-x- treated n-type GaN layers using a simple resistance model. The electron concentration within the sulfurated layer increased from its original value of 6.9x
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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